導(dǎo)語(yǔ)：如何才能寫(xiě)好一篇專用集成電路設(shè)計(jì)方法，這就需要搜集整理更多的資料和文獻(xiàn)，歡迎閱讀由公務(wù)員之家整理的十篇范文，供你借鑒。

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>> “射頻集成電路設(shè)計(jì)”課程教學(xué)改革初探 應(yīng)用于相控陣收發(fā)組件的射頻微波集成電路設(shè)計(jì)探討 納米尺度互連線寄生參數(shù)的仿真及應(yīng)用于CMOS射頻集成電路設(shè)計(jì) 模擬集成電路設(shè)計(jì)教學(xué)探討 《集成電路設(shè)計(jì)》課程教學(xué)改革與探索 集成電路設(shè)計(jì)本科教學(xué)改革探索 集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)人才培養(yǎng)模式的探究 集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)CDIO培養(yǎng)模式的研究與實(shí)踐 集成電路設(shè)計(jì)專業(yè)課程體系改革與實(shí)踐 《數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)原理》課程教學(xué)探索 集成電路設(shè)計(jì)作為專業(yè)核心課程設(shè)置的探討 集成電路設(shè)計(jì)方法及IP設(shè)計(jì)技術(shù)的探討 集成電路設(shè)計(jì)的本科教學(xué)現(xiàn)狀及探索 模擬集成電路設(shè)計(jì)教學(xué)方法探討 《專用集成電路設(shè)計(jì)》教學(xué)方法初探 結(jié)合集成電路設(shè)計(jì)大賽談創(chuàng)新能力的培養(yǎng) 同步數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中的時(shí)鐘偏移分析 《2012中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展報(bào)告》的統(tǒng)計(jì)及結(jié)論 模擬集成電路設(shè)計(jì)的自動(dòng)化綜合流程研究 以工程需求為導(dǎo)向的集成電路設(shè)計(jì)閉環(huán)教育研究 常見(jiàn)問(wèn)題解答 當(dāng)前所在位置：l.

[3]http：//.cn/Info/html/n14730_1.htm.

[4]http：///info/20121026/227691.shtml.

[5]馮衛(wèi)東.美科學(xué)家證實(shí)電路世界第四種基本元件存在[N/OL].科技日?qǐng)?bào)，2008-05-06.

[6]李九生.“微波與射頻技術(shù)”課程新式教學(xué)理念應(yīng)用[J].科技信息，2010，（6）.

[7]李金鳳，王健，劉歡.“射頻集成電路設(shè)計(jì)”課程教學(xué)改革初探[J].考試周刊，2012，(15).

[8]張銀蒲.基于射頻方向課程群的教學(xué)改革與創(chuàng)新[J].唐山學(xué)院學(xué)報(bào)，2013，（1）.

[9]王立華.虛擬網(wǎng)絡(luò)分析儀在射頻電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用[J].電子測(cè)量技術(shù)，2012，（4）.

收稿日期：2013-09-10

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[關(guān)鍵詞]教研統(tǒng)一 人才培養(yǎng) 方法與機(jī)制

[中圖分類號(hào)] C961 [文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼] A [文章編號(hào)] 2095-3437（2015）07-0114-03

一、引言

關(guān)于大學(xué)高水平本科人才的培養(yǎng)，其影響因素很多，而圍繞教學(xué)與科研相互關(guān)系的討論或說(shuō)爭(zhēng)論長(zhǎng)期以來(lái)一直是高等教育研究領(lǐng)域備受關(guān)注的重要課題。[1]大學(xué)最核心的任務(wù)是確保本科教育質(zhì)量，如果科研除了有利于人才培養(yǎng)之外，不能很好地服務(wù)本科教育，將喪失可持續(xù)發(fā)展的潛力;而將知識(shí)創(chuàng)新與教授有機(jī)結(jié)合起來(lái)，有效發(fā)揮科研的人才培養(yǎng)功能，對(duì)高校教學(xué)水平提高、教師教研水平提升、學(xué)生學(xué)習(xí)效果改善具有積極甚至無(wú)可替代的作用。

綜觀世界一流大學(xué)，無(wú)不要求其教師教學(xué)科研水平。我校從頂層設(shè)計(jì)角度制訂了“教研統(tǒng)一”的辦學(xué)理念。[2]筆者長(zhǎng)期從事集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的科研與教學(xué)工作，結(jié)合專業(yè)特點(diǎn)，將多年來(lái)在教學(xué)與科研相互促進(jìn)融合方面的探索進(jìn)行梳理，并對(duì)其中面臨的困難與挑戰(zhàn)進(jìn)行了思考。

二、教研統(tǒng)一的探索

目前國(guó)內(nèi)不少大學(xué)存在不同程度的“科研先行”發(fā)展理念，造成了教學(xué)的“短板”。為促進(jìn)集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)工程應(yīng)用型人才的培養(yǎng)，本專業(yè)一線教師長(zhǎng)期積極探索科研促進(jìn)和服務(wù)教學(xué)的方式方法，將先后承擔(dān)的國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、國(guó)家“863”重大專項(xiàng)、國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目、國(guó)家科技攻關(guān)項(xiàng)目，以及省部級(jí)、廳局級(jí)、橫向項(xiàng)目等數(shù)十項(xiàng)科研項(xiàng)目及成果以多種方式融入本科教學(xué)，努力使科研引領(lǐng)教學(xué)水平的提升，整個(gè)教學(xué)科研團(tuán)隊(duì)先后于2010年和2012年被評(píng)為“陜西省省級(jí)教學(xué)團(tuán)隊(duì)”――通信專用集成電路設(shè)計(jì)核心課程教學(xué)團(tuán)隊(duì)和“陜西省首批重點(diǎn)科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)”――西安郵電大學(xué)通信專用集成電路與集成系統(tǒng)重點(diǎn)科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)，探索形成了“科研嵌入”理論教學(xué)內(nèi)容、“科研反哺”實(shí)踐教學(xué)環(huán)境、“科研提高”師資隊(duì)伍建設(shè)和“科研啟發(fā)”應(yīng)用型人才培養(yǎng)的教研統(tǒng)一方案，努力提高科研對(duì)教學(xué)的貢獻(xiàn)率。

（一）“科研嵌入”理論教學(xué)內(nèi)容

為了踐行“教研統(tǒng)一”，在理論教學(xué)方面，貫徹科研項(xiàng)目分模塊進(jìn)課堂、進(jìn)實(shí)驗(yàn)、進(jìn)畢業(yè)設(shè)計(jì)，落實(shí)前沿技術(shù)進(jìn)講義、進(jìn)習(xí)題、進(jìn)考試環(huán)節(jié)，同時(shí)根據(jù)科研項(xiàng)目開(kāi)發(fā)實(shí)際，總結(jié)工程經(jīng)驗(yàn)，凝練科研案例，編寫(xiě)系列教材。通過(guò)將科研子模塊“嵌入”教學(xué)、“嵌入”教材，豐富了教學(xué)內(nèi)容，拓寬了學(xué)生視野，提高了學(xué)生實(shí)踐能力，實(shí)現(xiàn)了科研成果進(jìn)課堂、教學(xué)水平上臺(tái)階的目標(biāo)。近年來(lái)承擔(dān)并以多種形式融入教學(xué)的主要科研項(xiàng)目有：

項(xiàng)目1：國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目“三維視頻處理系統(tǒng)芯片動(dòng)態(tài)可重構(gòu)可編程體系結(jié)構(gòu)研究”，經(jīng)費(fèi)160萬(wàn)元;

項(xiàng)目2：陜西省科技統(tǒng)籌項(xiàng)目“北斗二號(hào) / GPS雙模接收機(jī)芯片組”，經(jīng)費(fèi)150萬(wàn)元;

項(xiàng)目3：陜西省重大創(chuàng)新專項(xiàng)“雙網(wǎng)數(shù)字傳真機(jī)開(kāi)發(fā)”，經(jīng)費(fèi)75萬(wàn)元;

項(xiàng)目4：陜西省重大創(chuàng)新專項(xiàng)“SDH片上系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)”，經(jīng)費(fèi)50萬(wàn)元;

項(xiàng)目5：國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目“新一代圖形處理系統(tǒng)芯片體系結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵技術(shù)研究”，經(jīng)費(fèi)440萬(wàn)元;

項(xiàng)目6：某國(guó)防項(xiàng)目“圖形處理器IP研發(fā)”，經(jīng)費(fèi)99萬(wàn)元;

項(xiàng)目7：陜西省“13115”創(chuàng)新專項(xiàng)“高速數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)包交換芯片研制與開(kāi)發(fā)”，經(jīng)費(fèi)135萬(wàn)元;

項(xiàng)目8：國(guó)家“863”重大專項(xiàng)“基于NOC的多處理器系統(tǒng)片上高性能互連技術(shù)研發(fā)”，經(jīng)費(fèi)200萬(wàn)元;

項(xiàng)目9：國(guó)家“863”項(xiàng)目“寬帶交換高速交換芯片的研究開(kāi)發(fā)”，經(jīng)費(fèi)360萬(wàn)元;

項(xiàng)目10：國(guó)家自然科學(xué)基金“無(wú)線通信自重構(gòu)容錯(cuò)NOC研究”，經(jīng)費(fèi)60萬(wàn)元。

上述項(xiàng)目與理論教學(xué)、實(shí)踐教學(xué)以及集中實(shí)踐環(huán)節(jié)相結(jié)合的具體操作如下：

1.集成電路專業(yè)導(dǎo)論：將項(xiàng)目1“APU體系結(jié)構(gòu)、計(jì)算模式統(tǒng)一等”作為內(nèi)容;將項(xiàng)目2“北斗、GPS以及伽利略等”的對(duì)比研究作為內(nèi)容;將項(xiàng)目8“片上網(wǎng)絡(luò)NOC的項(xiàng)目”引入教學(xué);將項(xiàng)目9“電路交換、分組交換的發(fā)展及研發(fā)現(xiàn)狀”引入課堂。

2.數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)：將項(xiàng)目1、5中“涉及的長(zhǎng)線、功耗、缺陷問(wèn)題引入教學(xué)”作為內(nèi)容;將項(xiàng)目6、7中的模塊作為案例用于新編教材;將項(xiàng)目9“PLL、CDR單元、全定制振蕩器”作為教學(xué)案例。

3.集成電路工藝原理：將項(xiàng)目1、5中“紅墻問(wèn)題、三維工藝”引入教學(xué);項(xiàng)目7、9、10成果引起企業(yè)關(guān)注，與航天某所建立工藝聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室;將項(xiàng)目9開(kāi)發(fā)過(guò)程中針對(duì)工藝的比較引入教學(xué)。

4.EDA技術(shù)實(shí)驗(yàn)：以項(xiàng)目1“4×4可重構(gòu)陣列”，項(xiàng)目3“將圖像CIS掃描、熱敏打印頭以及步進(jìn)電機(jī)控制電路”，項(xiàng)目4“字符重排、幀定位等單元設(shè)計(jì)”，項(xiàng)目5和6“命令處理器”作為教學(xué)案例;將項(xiàng)目7、8、9、10前端設(shè)計(jì)中積累的代碼編寫(xiě)經(jīng)驗(yàn)、綜合腳本撰寫(xiě)方法引入教學(xué)，將設(shè)計(jì)后端的STA用于新編教材中。

5.SoC設(shè)計(jì)方法學(xué)：以項(xiàng)目7、8、9的研發(fā)流程作為典型的SoC設(shè)計(jì)流程進(jìn)行對(duì)比講解。

6.計(jì)算機(jī)組成與設(shè)計(jì)：將項(xiàng)目1、5“ILP、OLP、DLP的統(tǒng)一”作為課程的主題研討內(nèi)容。

7.Verilog HDL數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)：將項(xiàng)目1、5“反饋環(huán)、命令處理器、存儲(chǔ)管理器等”作為大型實(shí)驗(yàn)案例;將項(xiàng)目4、7、9“PRBS序列產(chǎn)生、字符重排、幀定位單元”作為實(shí)驗(yàn)內(nèi)容;將項(xiàng)目8、9、10“將分配管理單元、虛通道路由器”作為案例，并將驗(yàn)證平臺(tái)的搭建作為大型案例引入教學(xué)。

8.通信原理：依據(jù)項(xiàng)目3建議授課教師將傳統(tǒng)傳真協(xié)議T.30、網(wǎng)絡(luò)傳真協(xié)議等引入課程;依據(jù)項(xiàng)目4建議授課教師將SDH內(nèi)容講解與項(xiàng)目開(kāi)發(fā)結(jié)合起來(lái);依據(jù)項(xiàng)目4、9建議授課教師將世界上第一套符合ITU-T標(biāo)準(zhǔn)STM-256幀結(jié)構(gòu)的40G SDH設(shè)備等引入課程。

9.基于FPGA的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)：將項(xiàng)目1、5“如何在Micro Blazer上移植操作系統(tǒng)、如何與底層電路交互”作為案例;將項(xiàng)目3雙網(wǎng)傳真機(jī)作為典型的嵌入式系統(tǒng)引入教學(xué)。

10.FPGA課程設(shè)計(jì)：將項(xiàng)目1和5“反饋環(huán)、Cache開(kāi)發(fā)、命令處理器”，項(xiàng)目9、10“隊(duì)列管理、VC分配、交換分配”等簡(jiǎn)化后作為題目。

11.集成電路設(shè)計(jì)課程設(shè)計(jì)：將項(xiàng)目1和5“幾何變換、三維剪裁、圖元裝配”，項(xiàng)目9、10“隊(duì)列管理、VC分配、交換分配”等作為題目。

12.SoPC課程設(shè)計(jì)：將項(xiàng)目3、5、6、7電路驗(yàn)證轉(zhuǎn)化為SoPC方式進(jìn)行以作為課程設(shè)計(jì)題目，項(xiàng)目7、8“PRBS序列產(chǎn)生、字符重排、幀定位等單元的開(kāi)發(fā)”作為題目。

13.畢業(yè)設(shè)計(jì)：將項(xiàng)目1、5、6“基于可重構(gòu)陣列的DCT變換、2D加速器、命令處理器、像素染色器等”，項(xiàng)目3“傳真機(jī)方案設(shè)計(jì)、模塊電路設(shè)計(jì)、軟件方案、通信協(xié)議等”，項(xiàng)目4、7、9“PRBS序列產(chǎn)生、字符重排、幀定位等單元增加基于C的驗(yàn)證”，項(xiàng)目9、10“隊(duì)列管理、VC分配、交換分配、torus結(jié)構(gòu)等”，項(xiàng)目8“驗(yàn)證涉及的基于SV的驗(yàn)證平臺(tái)、PLI平臺(tái)等”作為畢業(yè)設(shè)計(jì)題目。

（二）“科研反哺”實(shí)踐教學(xué)環(huán)境

集成電路設(shè)計(jì)是一個(gè)工程實(shí)踐性很強(qiáng)的領(lǐng)域，所需的儀器設(shè)備、工具軟件、工作條件成本高昂，建立完善的設(shè)計(jì)實(shí)踐環(huán)境常令學(xué)科建設(shè)經(jīng)費(fèi)捉襟見(jiàn)肘。而在承擔(dān)各級(jí)各類科研項(xiàng)目的過(guò)程中，逐步建立起了較高水平的科研平臺(tái)，如部級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、省級(jí)工程中心、校企聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室等，在這些科研平臺(tái)上積累了豐富的硬件資源、空間資源和人才資源。通過(guò)探索“科研反哺”，對(duì)實(shí)踐教學(xué)環(huán)境的建設(shè)和提升起到了積極的促進(jìn)作用。具體措施包括：

1.共享科研平臺(tái)的硬件資源，提升學(xué)生實(shí)踐環(huán)節(jié)的物質(zhì)基礎(chǔ)：在高水平科研帶動(dòng)下，先后投入數(shù)千萬(wàn)元建立了集成電路設(shè)計(jì)環(huán)境、工藝生產(chǎn)線，并與Altera、Xilinx、Intel、TI、廣州周立功、772所等建立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，相關(guān)的儀器、設(shè)備、開(kāi)發(fā)工具等通過(guò)合理共享逐步向本科生開(kāi)放，向?qū)嵺`教學(xué)資源轉(zhuǎn)化，提升了實(shí)踐環(huán)境的物質(zhì)基礎(chǔ)。

2.利用科研平臺(tái)的空間資源，為學(xué)生提供校外實(shí)習(xí)實(shí)訓(xùn)的機(jī)遇與環(huán)境：通過(guò)科研合作，先后與烽火、中興、華為、兗礦、煤炭科學(xué)院、深亞等相關(guān)設(shè)計(jì)企業(yè)、終端用戶等建立了校外實(shí)習(xí)基地，豐富了學(xué)生的實(shí)習(xí)實(shí)訓(xùn)環(huán)境。

3.發(fā)揮科研平臺(tái)的人才優(yōu)勢(shì)，轉(zhuǎn)化為第一、第二課堂的教學(xué)優(yōu)勢(shì)：主持和參與科研項(xiàng)目的高水平教授、中青年教師、碩士研究生等是科研平臺(tái)的人才優(yōu)勢(shì)，強(qiáng)調(diào)實(shí)施教授年授課學(xué)時(shí)數(shù)不低于120學(xué)時(shí)、項(xiàng)目負(fù)責(zé)人至少承擔(dān)一門(mén)本科生專業(yè)課、青年教師指導(dǎo)學(xué)生參加興趣小組和學(xué)科競(jìng)賽、碩士研究生承擔(dān)助教等一系列措施，對(duì)學(xué)生創(chuàng)新能力的培養(yǎng)起到了積極作用。

通過(guò)上述舉措，先后建設(shè)了陜西省實(shí)驗(yàn)教學(xué)示范中心――“計(jì)算機(jī)與微電子學(xué)實(shí)驗(yàn)教學(xué)中心”和“電工電子實(shí)驗(yàn)教學(xué)中心”、陜西省人才培養(yǎng)模式創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)區(qū)――“電子信息工程應(yīng)用型人才培養(yǎng)模式創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)區(qū)”和“集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)工程應(yīng)用型人才培養(yǎng)模式創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)區(qū)”。

（三）“科研提高”師資隊(duì)伍水平

集成電路設(shè)計(jì)的工程性要求教師必須具備豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，而科研正是彌補(bǔ)經(jīng)驗(yàn)“短板”的有效途徑。在具體實(shí)踐中采取的“科研提高”師資水平的措施主要有：

1.劃撥科研經(jīng)費(fèi)資助青年教師攻讀碩士、博士：為了培養(yǎng)青年教師，形成人才梯隊(duì)，一線青年教師先后有6人都是在科研項(xiàng)目專門(mén)審批劃撥的經(jīng)費(fèi)資助下攻讀博士、碩士，畢業(yè)后先后承擔(dān)了陜西省自然科學(xué)基金項(xiàng)目、教育部重點(diǎn)項(xiàng)目、陜西省教育廳專項(xiàng)項(xiàng)目等10余項(xiàng);多名青年教師指導(dǎo)本科生、研究生參加學(xué)科競(jìng)賽，先后獲得大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽陜西省一等獎(jiǎng)第一名和全國(guó)二等獎(jiǎng)多次、研究生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽西北賽區(qū)特等獎(jiǎng)兩次、全國(guó)二等獎(jiǎng)和三等獎(jiǎng)各一次以及全國(guó)優(yōu)秀指導(dǎo)教師獎(jiǎng)。

2.人才引進(jìn)注重科研方向、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)：在師資隊(duì)伍建設(shè)中，注重科研經(jīng)歷、工程能力、國(guó)際背景，如引進(jìn)的美籍全職教授有Nvidia、貝爾實(shí)驗(yàn)室、猶他大學(xué)等國(guó)際知名企業(yè)、科研院所長(zhǎng)達(dá)29年的開(kāi)發(fā)經(jīng)歷，并被聘為陜西省“百人計(jì)劃”特聘專家。

（四）“科研啟發(fā)”應(yīng)用型人才培養(yǎng)

通過(guò)科研融入教學(xué)，對(duì)啟發(fā)學(xué)生潛力、培養(yǎng)學(xué)生工程應(yīng)用能力起到了積極作用;同時(shí)選拔興趣濃厚者作為科研助手參與項(xiàng)目研發(fā)，由高水平教授直接指導(dǎo)，這些學(xué)生有多名進(jìn)入Intel、MTK、華為、中興等知名企業(yè)，擔(dān)任開(kāi)發(fā)經(jīng)理、技術(shù)骨干等關(guān)鍵崗位，或考取知名高校的研究生，并迅速成長(zhǎng)為導(dǎo)師科研團(tuán)隊(duì)中的骨干成員。

總之，科研成果分模塊進(jìn)課堂，豐富了教學(xué)內(nèi)容;前沿技術(shù)進(jìn)教案，拓寬了學(xué)生視野;科研設(shè)備向教學(xué)資源轉(zhuǎn)化，改善了教學(xué)條件;堅(jiān)持高水平教授為本科生授課，保障了教學(xué)中心地位;總結(jié)科研和工程經(jīng)驗(yàn)，更新了教學(xué)內(nèi)容，出版了系列教材，提高了學(xué)生工程實(shí)踐能力，形成了科研促進(jìn)教學(xué)的良好局面。

三、教研統(tǒng)一的思考

盡管在多年的教學(xué)科研實(shí)踐中摸索了一些“教研統(tǒng)一”的方式方法，但終究不是機(jī)制，無(wú)法形成長(zhǎng)效。而“教師的薪水、晉升，最終是依據(jù)其科研成果，而不是其教學(xué)績(jī)效，大學(xué)制訂的教師學(xué)術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)體系中幾乎看不到教學(xué)的影子”[3]，“教學(xué)和科研的統(tǒng)一正在隨著科研的興盛及二者之間激勵(lì)機(jī)制的不平衡而受到破壞，科研正在越來(lái)越遠(yuǎn)離教學(xué)，甚至是毫不相干”。[4]那么，如何讓教師發(fā)揮主觀能動(dòng)性，積極投身教研統(tǒng)一的探索？又如何讓學(xué)生積極投身運(yùn)用專業(yè)知識(shí)解決實(shí)際問(wèn)題的實(shí)踐，為學(xué)生實(shí)踐能力培養(yǎng)與提高形成合力呢？

（一）倡導(dǎo)研究性教學(xué)

大學(xué)師資管理模式、績(jī)效考核方式?jīng)Q定著大學(xué)教師的工作方式、工作效率和工作效果[5]，畢竟對(duì)多數(shù)人而言，指揮棒在哪里，工作的方向就在哪里。因此對(duì)工程實(shí)踐性強(qiáng)的專業(yè)，可從教學(xué)的要求上倡導(dǎo)研究性教學(xué)，從績(jī)效考核上拉近、拉平教學(xué)與科研獎(jiǎng)勵(lì)，不僅讓只灌輸書(shū)本知識(shí)的現(xiàn)象得到改觀，也讓學(xué)術(shù)水平高的教師有意愿對(duì)學(xué)生傾囊相授。

同時(shí)，一個(gè)高效的科研團(tuán)隊(duì)必然也是一個(gè)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的水平梯隊(duì)，而一個(gè)專業(yè)的教學(xué)也是理論與實(shí)踐、抽象與具體、構(gòu)想與實(shí)現(xiàn)的結(jié)合。因此，可從校級(jí)層面上制訂科研團(tuán)隊(duì)對(duì)專業(yè)教學(xué)的工作目標(biāo)，再由科研團(tuán)隊(duì)細(xì)分任務(wù)與計(jì)劃，并分解科研項(xiàng)目，組織教學(xué)活動(dòng)，做到教師人盡其才，學(xué)生人盡其用，這樣既可以調(diào)動(dòng)教師積極性，又可以發(fā)揮學(xué)生能動(dòng)性。

（二）強(qiáng)調(diào)教學(xué)中心地位

從教師角度看，教學(xué)過(guò)程中應(yīng)著重關(guān)注學(xué)生的學(xué)習(xí)過(guò)程，以教學(xué)為中心，以學(xué)生為主體，以教師為主導(dǎo)，以學(xué)習(xí)為主線。在基礎(chǔ)課、專業(yè)基礎(chǔ)課的支持下，專業(yè)課教學(xué)可以按“問(wèn)題驅(qū)動(dòng)、案例驅(qū)動(dòng)、項(xiàng)目驅(qū)動(dòng)、前沿驅(qū)動(dòng)”的節(jié)奏循序漸進(jìn)，逐步提升。教學(xué)方式方法的改革將在一定程度上促進(jìn)“教研統(tǒng)一”的踐行。

（三）發(fā)揮學(xué)生科研潛力

從學(xué)生角度看，專業(yè)知識(shí)的掌握程度，除了卷面成績(jī)外，還可以有多種表現(xiàn)形式，如：1.參加教師科研項(xiàng)目，獨(dú)立運(yùn)用專業(yè)知識(shí)或在教師指導(dǎo)下多方查閱、調(diào)研，完成相關(guān)模塊的設(shè)計(jì)，并撰寫(xiě)小論文或申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利，或錄用或發(fā)表，或?qū)崒徎蚴跈?quán);2.參加學(xué)科競(jìng)賽，競(jìng)賽題目可以從日常應(yīng)用角度激發(fā)學(xué)生的靈感，也可是教師科研項(xiàng)目轉(zhuǎn)化，通過(guò)自由組隊(duì)，在省級(jí)及以上政府機(jī)構(gòu)組織的裝試性競(jìng)賽、國(guó)家級(jí)行業(yè)協(xié)會(huì)組織的裝試性競(jìng)賽上獲獎(jiǎng)等。對(duì)諸如此類情形，從學(xué)校學(xué)院角度給以獎(jiǎng)勵(lì)、鼓勵(lì)，也將在一定程度上促進(jìn)“教研統(tǒng)一”的踐行。

四、總結(jié)

本文結(jié)合集成電路設(shè)計(jì)專業(yè)工程實(shí)踐性強(qiáng)的特點(diǎn)，在長(zhǎng)期的教學(xué)科研實(shí)踐中，探索出了一套“科研嵌入”理論教學(xué)內(nèi)容、“科研反哺”實(shí)踐教學(xué)環(huán)境、“科研提高”師資隊(duì)伍建設(shè)和“科研啟發(fā)”應(yīng)用型人才培養(yǎng)的教研統(tǒng)一方案;同時(shí)為了實(shí)現(xiàn)科研促進(jìn)教學(xué)、提高人才培養(yǎng)的效果，從學(xué)校角度、教師角度和學(xué)生角度思考了倡導(dǎo)研究性教學(xué)、強(qiáng)調(diào)教學(xué)中心地位、發(fā)揮學(xué)生科研潛力的“教研統(tǒng)一”長(zhǎng)效機(jī)制。

[ 注 釋 ]

[1] 梁林梅.國(guó)外關(guān)于本科教學(xué)與科研關(guān)系的探析[J].江蘇高教，2010（3）：67-60.

[2] 盧建軍.深化高教改革要抓好頂層設(shè)計(jì)[N].光明日?qǐng)?bào)，2014-06-17.

[3] Serow R C.Research and teaching at a research university[J].Higher Education，2000（4）：449-463.

篇3

關(guān)鍵詞:FC;SoC;電源管理模塊;電路

中圖分類號(hào):TP331文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A文章編號(hào):1009-3044(2010)10-2449-02

隨著集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)和超深亞微米技術(shù)的高速發(fā)展,集成電路設(shè)計(jì)已步入片上系統(tǒng)SoC(System on Chip)時(shí)代。SoC是專用集成電路ASIC(Application Specific Integrated Circuits)設(shè)計(jì)方法學(xué)中的新技術(shù),是指以嵌入式系統(tǒng)為核心,以IP核復(fù)用技術(shù)為基礎(chǔ),集軟、硬件于一體,并追求產(chǎn)品系統(tǒng)最大包容的集成芯片。SoC是將數(shù)字電路、模擬電路、信號(hào)采集和轉(zhuǎn)換電路、存儲(chǔ)器、MPU、MCU、DSP等集成在一塊芯片上實(shí)現(xiàn)一個(gè)系統(tǒng)。以超深亞微米(VDSM)工藝和IP核復(fù)用(IP Reuse)技術(shù)為支撐的系統(tǒng)級(jí)芯片技術(shù)將是超大規(guī)模集成電路(VLSI)發(fā)展的必然趨勢(shì)和主流。

為突破傳統(tǒng)電源管理模式,將研發(fā)的智能電源管理模塊以SoC為核心,利用SoC內(nèi)部的ARM922T處理器提供處理能力,外部配置AD采樣邏輯、存儲(chǔ)器等資源;并采用光纖通道(Fiber Channel,FC)為通信接口,通過(guò)FC總線,接收系統(tǒng)其它模塊發(fā)送的控制命令,進(jìn)一步提高了電源模塊的可靠性、通用性、易擴(kuò)展性和靈活的配置能力,并促進(jìn)了FC技術(shù)的應(yīng)用,保證了系統(tǒng)功能和性能的優(yōu)化。

1 智能電源管理模塊的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

智能電源管理模塊是以片上系統(tǒng)SoC為控制中心,實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的采集。模塊由電壓電流調(diào)理電路、開(kāi)關(guān)陣列電路、AD選通轉(zhuǎn)換電路、控制器、存儲(chǔ)器、FC接口等構(gòu)成,主要負(fù)責(zé)電源模塊的檢測(cè)和控制。當(dāng)上電BIT測(cè)試正確,則電源管理模塊以一組固定的動(dòng)作序列去控制開(kāi)關(guān)陣列PSA向外供電;若流經(jīng)PSA電流超出范圍Is≥IsMAX,控制PSA并對(duì)其進(jìn)行狀態(tài)轉(zhuǎn)換;在應(yīng)急供電下,停止對(duì)通用模塊供電,只對(duì)關(guān)鍵模塊供電;電源管理模塊通過(guò)FC接口與系統(tǒng)管理者進(jìn)行傳輸開(kāi)關(guān)動(dòng)作狀態(tài)、報(bào)警信息、數(shù)據(jù)(各支路電流),記錄電源自測(cè)試BIT結(jié)果、故障信息。

電源管理模塊系統(tǒng)結(jié)構(gòu)包括如圖1所示的主要功能塊。

2 電源管理模塊電路設(shè)計(jì)

2.1 復(fù)位電路

復(fù)位類型包括上電復(fù)位、手動(dòng)復(fù)位、調(diào)試口復(fù)位、軟件復(fù)位和看門(mén)狗復(fù)位。

上電或手動(dòng)復(fù)位有效時(shí)產(chǎn)生200ms的低電平復(fù)位信號(hào),提供給SoC芯片作為系統(tǒng)復(fù)位觸發(fā)源之一。調(diào)試口復(fù)位由外部調(diào)試工具產(chǎn)生,用于復(fù)位ARM922T處理器的調(diào)試接口。軟件復(fù)位指系統(tǒng)根據(jù)軟件運(yùn)行要求生成的復(fù)位觸發(fā)源。而當(dāng)系統(tǒng)在規(guī)定時(shí)間內(nèi),沒(méi)有得到響應(yīng)時(shí)產(chǎn)生看門(mén)狗復(fù)位。

當(dāng)SoC芯片接收到上述復(fù)位類型中任意一種觸發(fā)復(fù)位機(jī)制,由SoC芯片輸出系統(tǒng)復(fù)位信號(hào)對(duì)電源管理模塊進(jìn)行復(fù)位。

2.2 時(shí)鐘電路

電源管理模塊中需要使用時(shí)鐘的電路有:SoC芯片、FC接口。其中,SoC芯片選擇53.125MHz運(yùn)行時(shí)鐘,內(nèi)部進(jìn)行4倍頻提供ARM922T處理器使用。FC接口收、發(fā)數(shù)據(jù)時(shí)鐘頻率為106.25MHz。

2.3 存儲(chǔ)器電路

電源管理模塊中的存儲(chǔ)器是SDRAM存儲(chǔ)器。該存儲(chǔ)器工作電壓為3.3V,封裝為54引腳的TSOP,容量為32M*16。在設(shè)計(jì)時(shí)使用2片K4S511632E實(shí)現(xiàn)32位操作。SoC芯片內(nèi)置SDRAM存儲(chǔ)器控制器,提供SDRAM的時(shí)序控制邏輯,并且提供SDRAM訪問(wèn)時(shí)鐘,時(shí)鐘頻率為56.125MHz,同存儲(chǔ)器時(shí)鐘的時(shí)鐘頻率和相位在EDA設(shè)計(jì)時(shí)保持一致。

2.4 電壓轉(zhuǎn)換電路

模塊中使用了多種電壓的電源,分別為+3.3V、+2.5V和+1.8V,統(tǒng)一由外部+5V經(jīng)電壓轉(zhuǎn)換電路實(shí)現(xiàn),輸出電流可達(dá)到3A。由于SoC芯片要求內(nèi)核上電時(shí)間萬(wàn)余I/O上電時(shí)間,所以在設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)內(nèi)核電壓(+1.8V)轉(zhuǎn)換電路增加場(chǎng)效應(yīng)管控制,使其滿足SoC芯片供電要求。

電壓轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)圖如圖2所示。

2.5 模擬量輸入電路

系統(tǒng)的模擬量信號(hào)是由多路模擬開(kāi)關(guān)進(jìn)行選通。多路開(kāi)關(guān)是采用2片16通道模擬開(kāi)關(guān)和1片8通道模擬開(kāi)關(guān),通過(guò)4位通道地址選取相應(yīng)通道,其中最高位為片選位。因此,最多可選通38路模擬信號(hào),滿足本模塊所需的24路模擬量信號(hào)的要求。模擬開(kāi)關(guān)用于選通被測(cè)試信號(hào),包括4路電壓檢測(cè)信號(hào)、16路電流模擬量信號(hào)和4路應(yīng)急模擬量信號(hào),通過(guò)對(duì)GPIO0-5配置進(jìn)行通道選擇。

A/D轉(zhuǎn)換器件控制端直接與EBI接口連接,CS信號(hào)接EBI_CS2,讀寫(xiě)信號(hào)則與EBI讀寫(xiě)信號(hào)相連。A/D轉(zhuǎn)換的操作為中斷方式或查詢方式,轉(zhuǎn)換結(jié)束標(biāo)志EOC信號(hào)作為外部中斷連接到SoC芯片,當(dāng)轉(zhuǎn)換結(jié)束后產(chǎn)生中斷,由SoC芯片讀取轉(zhuǎn)換結(jié)果并作出相應(yīng)處理。EOC信號(hào)在設(shè)計(jì)時(shí)也連接到SoC芯片的GPIO端,可作為輸入信號(hào),當(dāng)轉(zhuǎn)換開(kāi)始后查詢?cè)撔盘?hào)狀態(tài)判斷是否轉(zhuǎn)換結(jié)束。

模擬量輸入和A/D轉(zhuǎn)換電路如圖3所示。

2.6 離散量輸出電路

離散量輸出主要用于控制開(kāi)關(guān)陣列的工作狀態(tài),當(dāng)狀態(tài)一旦置出,在沒(méi)有檢測(cè)到錯(cuò)誤或是在沒(méi)有接受到系統(tǒng)管理者更新指令時(shí),該狀態(tài)是不能變更的。

在設(shè)計(jì)時(shí),利用EBI數(shù)據(jù)作為開(kāi)關(guān)陣列的控制信號(hào)。首先,對(duì)EBI數(shù)據(jù)通過(guò)鎖存器進(jìn)行鎖存,然后進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換,以此輸出滿足開(kāi)關(guān)陣列使用的+5V電平信號(hào),初始默認(rèn)開(kāi)關(guān)陣列的狀態(tài)為全開(kāi),所以采用+5V上拉方式保證離散量輸出信號(hào)為高電平。設(shè)計(jì)圖如圖4所示。

2.7 FC接口

SoC芯片提供FC接口,所以只需要在外部連接串并轉(zhuǎn)化器和光電收發(fā)器即可。串并轉(zhuǎn)換器具有10bitTx/Rx總線接口,提供并行回環(huán)測(cè)試模式,接收、發(fā)送時(shí)鐘可達(dá)到106.25MHz,兼容SSTL-2電平,供電電壓為3.3V。而光電收發(fā)器也采用的是一款高性能光纖模塊,具有4通道接收器/發(fā)送器,單通道帶寬1Gbps至2.7Gbps,兼容8B/10B數(shù)據(jù)格式。設(shè)計(jì)過(guò)程中重點(diǎn)考慮PCB制作和FC接口端接匹配電阻的選擇。

3 結(jié)論

電源管理系統(tǒng)模塊利用FC接口,通過(guò)FC總線接受應(yīng)用系統(tǒng)中其他模塊發(fā)送的控制命令,并根據(jù)命令,控制開(kāi)關(guān)陣列的輸出,可以實(shí)現(xiàn)分別為各可替換功能模塊(LRM)的上下電。而當(dāng)智能電源模塊發(fā)生故障時(shí),電源管理模塊能夠通過(guò)FC總線將故障信息發(fā)送給應(yīng)用系統(tǒng)的主控模塊。在系統(tǒng)控制下,發(fā)生供電系統(tǒng)的重構(gòu)動(dòng)作,從而實(shí)現(xiàn)電源故障隔離。

參考文獻(xiàn):

[1] Furber S[英].田澤,于敦山,盛世敏,譯.ARM SoC體系結(jié)構(gòu)[M].北京航空航天大學(xué)出版社,2002.

篇4

預(yù)計(jì)在未來(lái)10到20年，微電子器件抗輻射加固的重點(diǎn)發(fā)展技術(shù)是：抗輻射加固新技術(shù)和新方法研究；新材料和先進(jìn)器件結(jié)構(gòu)輻射效應(yīng)；多器件相互作用模型和模擬研究；理解和研究復(fù)雜3－D結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)封裝的抗輻射加固；開(kāi)發(fā)能夠降低測(cè)試要求的先進(jìn)模擬技術(shù)；開(kāi)發(fā)應(yīng)用加固設(shè)計(jì)的各種技術(shù)。本文分析研究了微電子器件抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)和工藝制造技術(shù)的發(fā)展態(tài)勢(shì)。

2輻射效應(yīng)和損傷機(jī)理研究

微電子器件中的數(shù)字和模擬集成電路的輻射效應(yīng)一般分為總劑量效應(yīng)（TID）、單粒子效應(yīng)（SEE）和劑量率（DoesRate）效應(yīng)。總劑量效應(yīng)源于由γ光子、質(zhì)子和中子照射所引發(fā)的氧化層電荷陷阱或位移破壞，包括漏電流增加、MOSFET閾值漂移，以及雙極晶體管的增益衰減。SEE是由輻射環(huán)境中的高能粒子（質(zhì)子、中子、α粒子和其他重離子）轟擊微電子電路的敏感區(qū)引發(fā)的。在p－n結(jié)兩端產(chǎn)生電荷的單粒子效應(yīng)，可引發(fā)軟誤差、電路閉鎖或元件燒毀。SEE中的單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU）會(huì)導(dǎo)致電路節(jié)點(diǎn)的邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)。劑量率效應(yīng)是由甚高速率的γ或X射線，在極短時(shí)間內(nèi)作用于電路，并在整個(gè)電路內(nèi)產(chǎn)生光電流引發(fā)的，可導(dǎo)致閉鎖、燒毀和軌電壓坍塌等破壞［1］。輻射效應(yīng)和損傷機(jī)理研究是抗輻射加固技術(shù)的基礎(chǔ)，航空航天應(yīng)用的SiGe，InP，集成光電子等高速高性能新型器件的輻射效應(yīng)和損傷機(jī)理是研究重點(diǎn)。研究新型器件的輻射效應(yīng)和損傷機(jī)理的重要作用是：1）對(duì)新的微電子技術(shù)和光電子技術(shù)進(jìn)行分析評(píng)價(jià)，推動(dòng)其應(yīng)用到航空航天等任務(wù)中；2）研究輻射環(huán)境應(yīng)用技術(shù)的指導(dǎo)方法學(xué)；3）研究抗輻射保證問(wèn)題，以增加系統(tǒng)可靠性，減少成本，簡(jiǎn)化供應(yīng)渠道。研究的目的是保證帶寬／速度不斷提升的微電子和光（如光纖數(shù)據(jù)鏈接）電子電路在輻射環(huán)境中可靠地工作。圖1所示為輻射效應(yīng)和損傷機(jī)理的重點(diǎn)研究對(duì)象。研究領(lǐng)域可分為：1）新微電子器件輻射效應(yīng)和損傷機(jī)理；2）先進(jìn)微電子技術(shù)輻射評(píng)估；3）航空航天抗輻射保障；4）光電子器件的輻射效應(yīng)和損傷機(jī)理；5）輻射測(cè)試、放射量測(cè)定及相關(guān)問(wèn)題；6）飛行工程和異常數(shù)據(jù)分析；7）提供及時(shí)的前期工程支持；8）航空輻射效應(yīng)評(píng)估；9）輻射數(shù)據(jù)維護(hù)和傳送。

3抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)

3．1抗輻射加固系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法

開(kāi)展抗輻射加固設(shè)計(jì)需要一個(gè)完整的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證體系，包括技術(shù)支持開(kāi)發(fā)、建立空間環(huán)境模型及環(huán)境監(jiān)視系統(tǒng)、具備系統(tǒng)設(shè)計(jì)概念和在軌實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)庫(kù)等。圖2所示為空間抗輻射加固設(shè)計(jì)的驗(yàn)證體系。本文討論的設(shè)計(jì)技術(shù)范圍主要是關(guān)于系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)、電路、器件級(jí)的設(shè)計(jì)技術(shù)?？梢酝ㄟ^(guò)圖2所示設(shè)計(jì)體系進(jìn)行抗輻射加固設(shè)計(jì)：1）采用多級(jí)別冗余的方法減輕輻射破壞，這些級(jí)別分為元件級(jí)、板級(jí)、系統(tǒng)級(jí)和飛行器級(jí)。2）采用冗余或加倍結(jié)構(gòu)元件（如三模塊冗余）的邏輯電路設(shè)計(jì)方法，即投票電路根據(jù)最少兩位的投票確定輸出邏輯。3）采用電路設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì)以減輕電離輻射破壞的方法。即采用隔離、補(bǔ)償或校正、去耦等電路技術(shù)，以及摻雜阱和隔離槽芯片布局設(shè)計(jì)；4）加入誤差檢測(cè)和校正電路，或者自修復(fù)和自重構(gòu)功能；5）器件間距和去耦。這些加固設(shè)計(jì)器件可以采用專用工藝，也可采用標(biāo)準(zhǔn)工藝制造。

3．2加固模擬／混合信號(hào)IP技術(shù)

最近的發(fā)展趨勢(shì)表明，為了提高衛(wèi)星的智能水平和降低成本，推動(dòng)了模擬和混合信號(hào)IP需求不斷增加［2］?？馆椛浼庸棠MIP的數(shù)量也不斷增加。其混合信號(hào)IP也是相似的，在高、低壓中均有應(yīng)用，只是需在不同的代工廠加工。比利時(shí)IMEC，ICsense等公司在設(shè)計(jì)抗輻射加固方案中提供了大量的模擬IP內(nèi)容。模擬IP包括抗輻射加固的PLL和A／D轉(zhuǎn)換器模塊，正逐步向軟件控制型混合信號(hào)SoCASIC方向發(fā)展。該抗輻射加固庫(kù)基于XFab公司180nm工藝，與臺(tái)積電180nm設(shè)計(jì)加固IP庫(kù)參數(shù)相當(dāng)。TID加固水平可以達(dá)到1kGy，并且對(duì)單粒子閉鎖和漏電流增加都可以進(jìn)行有效加固。

3．3SiGe加固設(shè)計(jì)技術(shù)

SiGeHBT晶體管在空間應(yīng)用并作模擬器件時(shí)，對(duì)總劑量輻射效應(yīng)具有較為充分和固有的魯棒性，具備大部分空間應(yīng)用（如衛(wèi)星）所要求的總劑量和位移效應(yīng)的耐受能力［3］。目前，SiGeBiCMOS設(shè)計(jì)加固的熱點(diǎn)主要集中在數(shù)字邏輯電路上。SEE／SEU會(huì)對(duì)SiGeHBT數(shù)字邏輯電路造成較大破壞。因此，這方面的抗加設(shè)計(jì)技術(shù)發(fā)展較快。對(duì)先進(jìn)SiGeBiCMOS工藝的邏輯電路進(jìn)行SEE／SEU加固時(shí)，在器件級(jí)，可采用特殊的C－B－ESiGeHBT器件、反模級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)器件、適當(dāng)?shù)陌鎴D結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等來(lái)進(jìn)行SEE／SEU加固。在電路級(jí)，可使用雙交替、柵反饋和三模冗余等方法進(jìn)行加固設(shè)計(jì)。三模冗余法除了在電路級(jí)上應(yīng)用外，還可作為一種系統(tǒng)級(jí)加固方法使用。各種抗輻射設(shè)計(jì)獲得的加固效果各不相同。例如，移相器使用器件級(jí)和電路級(jí)并用的加固設(shè)計(jì)方案，經(jīng)過(guò)LET值為75MeV•cm2／mg的重粒子試驗(yàn)和標(biāo)準(zhǔn)位誤差試驗(yàn)后，結(jié)果顯示，該移相器整體抗SEU能力得到有效提高，對(duì)SEU具有明顯的免疫力。

4抗輻射加固工藝技術(shù)

目前，加固專用工藝線仍然是戰(zhàn)略級(jí)加固的強(qiáng)有力工具，將來(lái)會(huì)越來(lái)越多地與加固設(shè)計(jì)結(jié)合使用。因?yàn)榭馆椛浼庸坦に嚰夹g(shù)具有非常高的專業(yè)化屬性和高復(fù)雜性，因此只有少數(shù)幾個(gè)廠家能夠掌握該項(xiàng)技術(shù)。例如，單粒子加固的SOI工藝和SOS工藝，總劑量加固的小幾何尺寸CMOS工藝，IBM的45nmSOI工藝，Honeywe1l的50nm工藝，以及BAE外延CMOS工藝等。主要的抗輻射加固產(chǎn)品供應(yīng)商之一Atmel于2006年左右達(dá)到0．18μm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，上一期的工藝節(jié)點(diǎn)為3μm。Atmel的RTCMOS，RTPCMOS，RHCMOS抗輻射加固專用工藝不需改變?cè)O(shè)計(jì)和版圖，只用工藝加固即可制造出滿足抗輻射要求的軍用集成電路。0．18μm是Atmel當(dāng)前主要的抗輻射加固工藝，目前正在開(kāi)發(fā)0．15μm技術(shù)，下一步將發(fā)展90nm和65nm工藝。Atmel采用0．18μm專用工藝制造的IC有加固ASIC、加固通信IC、加固FPGA、加固存儲(chǔ)器、加固處理器等，如圖3所示。

5重點(diǎn)發(fā)展技術(shù)態(tài)勢(shì)

5．1美國(guó)的抗輻射加固技術(shù)

5．1．1加固設(shè)計(jì)重點(diǎn)技術(shù)

美國(guó)商務(wù)部2009年國(guó)防工業(yè)評(píng)估報(bào)告《美國(guó)集成電路設(shè)計(jì)和制造能力》，詳細(xì)地研究了美國(guó)抗輻射加固設(shè)計(jì)和制造能力［4］。擁有抗輻射加固制造能力的美國(guó)廠商同時(shí)擁有抗單粒子效應(yīng)、輻射容錯(cuò)、抗輻射加固和中子加固的設(shè)計(jì)能力。其中，擁有抗單粒子效應(yīng)能力的18家、輻射容錯(cuò)14家、輻射加固10家，中子加固9家。IDM公司是抗輻射加固設(shè)計(jì)的主力軍，2006年就已達(dá)到從10μm到65nm的15個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能力。15家公司具備10μm～1μm的設(shè)計(jì)能力，22家公司具備1μm～250nm的設(shè)計(jì)能力，24家公司具備250nm～65nm設(shè)計(jì)能力，7家公司的技術(shù)節(jié)點(diǎn)在65nm以下，如圖5所示。純?cè)O(shè)計(jì)公司的抗輻射加固設(shè)計(jì)能力較弱。美國(guó)IDM在設(shè)計(jì)抗輻射產(chǎn)品時(shí)所用的材料包括體硅、SOI，SiGe等Si標(biāo)準(zhǔn)材料，和藍(lán)寶石上硅、SiC，GaN，GaAs，InP，銻化物、非結(jié)晶硅等非標(biāo)準(zhǔn)材料兩大類。標(biāo)準(zhǔn)材料中使用體硅的有23家，使用SOI的有13家，使用SiGe的有10家。使用非標(biāo)準(zhǔn)材料的公司數(shù)量在明顯下降。非標(biāo)材料中，GaN是熱點(diǎn)，有7家公司（4個(gè)小規(guī)模公司和3個(gè)中等規(guī)模公司）在開(kāi)發(fā)。SiC則最弱，只有兩家中小公司在研發(fā)。沒(méi)有大制造公司從事非標(biāo)材料的開(kāi)發(fā)。

5．1．2重點(diǎn)工藝和制造能力

美國(guó)有51家公司從事輻射容錯(cuò)、輻射加固、中子加固、單粒子瞬態(tài)加固IC產(chǎn)品研制。其中抗單粒子效應(yīng)16家，輻射容錯(cuò)15家，抗輻射加固12家，中子加固8家。制造公司加固IC工藝節(jié)點(diǎn)從10μm到32nm。使用的材料有標(biāo)準(zhǔn)Si材料和非標(biāo)準(zhǔn)兩大類。前一類有體硅、SOI和SiGe，非標(biāo)準(zhǔn)材料則包括藍(lán)寶石上硅，SiC，GaN，GaAs，InP，銻化物和非晶硅（amorphous）。晶圓的尺寸有50，100，150，200，300mm這幾類。抗輻射加固產(chǎn)品制造可分為專用集成電路（ASIC）、柵陣列、存儲(chǔ)器和其他產(chǎn)品。ASIC制造能力最為強(qiáng)大，定制ASIC的廠商達(dá)到21家，標(biāo)準(zhǔn)ASIC達(dá)到13家，結(jié)構(gòu)化ASIC有12家。柵陣列有：現(xiàn)場(chǎng)可編程陣列（FPGA）、掩膜現(xiàn)場(chǎng)可編程陣列（MPGA）、一次性現(xiàn)場(chǎng)可編程陣列（EPGA），共19家。RF／模擬／混合信號(hào)IC制造商達(dá)到18家，制造處理器／協(xié)處理器有11家。5．1．3RF和混合信號(hào)SiGeBiCMOS據(jù)美國(guó)航空航天局（NASA），SiGe技術(shù)發(fā)展的下一目標(biāo)是深空極端環(huán)境應(yīng)用的技術(shù)和產(chǎn)品，例如月球表面應(yīng)用。這主要包括抗多種輻射和輻射免疫能力。例如，器件在＋120℃～－180℃溫度范圍內(nèi)正常工作的能力。具有更多的SiGe模擬／混合信號(hào)產(chǎn)品，微波／毫米波混合信號(hào)集成電路。系統(tǒng)能夠取消各種屏蔽和專用電纜，以減小重量和體積。德國(guó)IHP公司為空間應(yīng)用提供高性能的250nmSiGeBiCMOS工藝SGB25RH［5］，其工作頻率達(dá)到20GHz。包括專用抗輻射加固庫(kù)輻射試驗(yàn)、ASIC開(kāi)發(fā)和可用IP。采用SGB13RH加固的130nmSiGeBiCMOS工藝可達(dá)到250GHz／300GHz的ft／fmax。采用該技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)SiGeBiCMOS抗輻射加固庫(kù)。

5．2混合信號(hào)的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)

如果半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)不發(fā)生變化，則當(dāng)IC特征尺寸向90nm及更小尺寸發(fā)展時(shí)，混合信號(hào)加固設(shè)計(jì)技術(shù)的重要性就會(huì)增加［6］。設(shè)計(jì)加固可以使用商用工藝，與特征尺寸落后于商用工藝的專用工藝相比，能夠在更小的芯片面積上提高IC速度和優(yōu)化IC性能。此外，設(shè)計(jì)加固能夠幫助設(shè)計(jì)者擴(kuò)大減小單粒子效應(yīng)的可選技術(shù)范圍。在20～30年長(zhǎng)的時(shí)期內(nèi)，加固設(shè)計(jì)方法學(xué)的未來(lái)并不十分清晰。最終數(shù)字元件將縮小到分子或原子的尺度。單個(gè)的質(zhì)子、中子或粒子碰撞導(dǎo)致的后果可能不是退化，而是整個(gè)晶體管或子電路毀壞。除了引入新的屏蔽和／或封裝技術(shù)，一些復(fù)雜數(shù)字電路還需要具備一些動(dòng)態(tài)的自修復(fù)和自重構(gòu)功能。此外，提高產(chǎn)量和防止工作失效的力量或許會(huì)推動(dòng)商用制造商在解決這些問(wèn)題方面起到引領(lǐng)的作用。當(dāng)前，沒(méi)有跡象表明模擬和RF電路會(huì)最終使用與數(shù)字電路相同的元件和工藝。因此，加固混合信號(hào)電路設(shè)計(jì)者需要在模擬和數(shù)字兩個(gè)完全不同的方向開(kāi)展工作，即需要同時(shí)使用兩種基本不同的IC技術(shù)，并應(yīng)用兩種基本不同的加固設(shè)計(jì)方法。

6結(jié)束語(yǔ)

篇5

中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)、中芯國(guó)際董事長(zhǎng)江上舟同志因病于2011年6月27日不幸逝世，享年64歲。

江上舟同志是上海芯片產(chǎn)業(yè)的奠基人、國(guó)家大飛機(jī)項(xiàng)目的啟動(dòng)者之一，推動(dòng)了包括大飛機(jī)和半導(dǎo)體在內(nèi)的多個(gè)重大科技項(xiàng)目。江上舟同志曾在海南省、上海市政府部門(mén)擔(dān)任重要領(lǐng)導(dǎo)職務(wù)。

江上舟同志一生為推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展作出了突出貢獻(xiàn)，他的逝世是中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界的重大損失，也是國(guó)家科技界的重大損失。（本刊編輯：黃友庚）

全國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試研討會(huì)

在煙臺(tái)舉行

第九屆中國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)日前在山東省煙臺(tái)市開(kāi)發(fā)區(qū)召開(kāi)。此次會(huì)議聚集了400多位國(guó)內(nèi)外各大半導(dǎo)體企業(yè)、科研院所、高校的專家學(xué)者，就如何促進(jìn)我國(guó)半導(dǎo)體封測(cè)業(yè)更快更好發(fā)展進(jìn)行了深入研討與交流。

會(huì)議重點(diǎn)介紹了我國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)調(diào)研、3D封裝技術(shù)、TSV技術(shù)、綠色封裝技術(shù)、封裝可靠性與測(cè)試技術(shù)、表面組裝與高密度互連技術(shù)、封裝基板制造技術(shù)、先進(jìn)封裝設(shè)備、封裝材料等及其市場(chǎng)走向與應(yīng)對(duì)措施。這是我國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試業(yè)界的重要盛會(huì)，也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈之間的一個(gè)極具意義的交流平臺(tái)。

2010年，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在2009年緩慢復(fù)蘇的基礎(chǔ)上，呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭。隨著芯片集成度的極大提高，高端封裝產(chǎn)品的技術(shù)含量日重，封裝測(cè)試的成本在集成電路成本中所占比重加大，并且受集成電路價(jià)格波動(dòng)的影響較小。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)畢克允副理事長(zhǎng)介紹，面對(duì)這一形勢(shì)，有必要提高對(duì)發(fā)展半導(dǎo)體封裝測(cè)試業(yè)的認(rèn)識(shí)，充分發(fā)揮我國(guó)的成本優(yōu)勢(shì)，加強(qiáng)對(duì)封裝測(cè)試業(yè)的研發(fā)支持，提高創(chuàng)新能力鼓勵(lì)資源整合，擴(kuò)大國(guó)際合作，在我國(guó)培育出全球性半導(dǎo)體封測(cè)大公司。（來(lái)自中半?yún)f(xié)封裝分會(huì)）

2011中國(guó)通信集成電路技術(shù)

與應(yīng)用研討會(huì)9月蘇州召開(kāi)

為進(jìn)一步推進(jìn)集成電路技術(shù)的進(jìn)步，促進(jìn)通信、集成電路與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的融合發(fā)展，中國(guó)通信學(xué)會(huì)通信專用集成電路委員會(huì)、中國(guó)電子學(xué)會(huì)通信學(xué)分會(huì)定于2011年9月22-23日在蘇州舉辦“2011中國(guó)通信集成電路技術(shù)與應(yīng)用研討會(huì)暨物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用論壇”。

本次會(huì)議以“創(chuàng)新應(yīng)用與融合發(fā)展”為主題，圍繞通信集成電路技術(shù)與物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，重點(diǎn)研討集成電路的技術(shù)發(fā)展，以及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用對(duì)通信產(chǎn)業(yè)、集成電路產(chǎn)業(yè)帶來(lái)的機(jī)遇。會(huì)議期間將舉辦產(chǎn)品應(yīng)用展示，集中展示集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)以及在通信、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用。

自2003年起，“中國(guó)通信集成電路技術(shù)研討會(huì)”被確定為每年一屆的行業(yè)例會(huì)，曾先后在昆明、杭州、成都、大連、西安、蘇州、上海、武漢等地成功舉辦，并贏得了與會(huì)者的廣泛認(rèn)同，已經(jīng)成為集成電路行業(yè)和通信行業(yè)非常關(guān)注的一項(xiàng)重要技術(shù)活動(dòng)，依托中國(guó)電子學(xué)會(huì)和中國(guó)通信學(xué)會(huì)這兩大資源平臺(tái)，使該活動(dòng)匯集了國(guó)內(nèi)外主要的集成電路企業(yè)和通信廠商，形成了產(chǎn)業(yè)間技術(shù)與設(shè)計(jì)應(yīng)用的互動(dòng)交流平臺(tái)。（本刊編輯：黃友庚）

2011中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)

集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)年會(huì)

（ICCAD 2011）11月西安召開(kāi)

為了發(fā)揮西安深厚的科研優(yōu)勢(shì)，充分展示東西部產(chǎn)業(yè)資源的各自優(yōu)勢(shì)，培育核心技術(shù)，推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)，尤其是設(shè)計(jì)業(yè)做強(qiáng)做大，實(shí)現(xiàn)下一個(gè)十年跨越式發(fā)展，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)定于2011年11月17日-18日在西安舉辦“2011中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)年會(huì)暨中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)十年成就展”。

本次年會(huì)以“優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，提升核心競(jìng)爭(zhēng)力，實(shí)現(xiàn)規(guī)?；焖侔l(fā)展”為主題，積極探討集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇和挑戰(zhàn)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的互動(dòng)，促進(jìn)我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)持續(xù)、快速、健康地發(fā)展。大會(huì)將為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)的企業(yè)營(yíng)造一個(gè)交流與合作的良好平臺(tái)，為世界各地和港、澳、臺(tái)的同行以及相關(guān)行業(yè)協(xié)會(huì)、中介組織等構(gòu)筑一個(gè)與中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)在技術(shù)、市場(chǎng)、應(yīng)用、投資等領(lǐng)域互換信息、探討合作的交流平臺(tái)。同時(shí)，大會(huì)對(duì)于幫助本土產(chǎn)業(yè)構(gòu)建高端交流平臺(tái)和企業(yè)合作機(jī)遇具有舉足輕重的意義，必將對(duì)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)整合，提升核心競(jìng)爭(zhēng)力，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)規(guī)模化快速發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。（來(lái)自中半?yún)f(xié)設(shè)計(jì)分會(huì)）

甘肅集成電路產(chǎn)業(yè)目標(biāo)鎖定：

“十二五”末超過(guò)120億塊

甘肅集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展已駛?cè)搿翱燔嚨馈保杭呻娐吩骷庋b產(chǎn)業(yè)規(guī)模將在“十二五”末力爭(zhēng)達(dá)到120億塊以上，實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入45億元，年均增速在30％以上。

據(jù)甘肅省工業(yè)和信息化委員會(huì)透露，在國(guó)家和地方一系列政策支持下，甘肅集成電路產(chǎn)業(yè)近幾年規(guī)模不斷擴(kuò)大?！笆晃濉逼陂g，產(chǎn)業(yè)規(guī)模年均增長(zhǎng)40.2％，主營(yíng)業(yè)務(wù)收入年均增長(zhǎng)32.2％，利潤(rùn)總額年均增長(zhǎng)27.6％。2010年，甘肅集成電路產(chǎn)業(yè)完成工業(yè)總產(chǎn)值18.12億元，同比增長(zhǎng)43％；實(shí)現(xiàn)工業(yè)銷售產(chǎn)值17.46億元，同比增長(zhǎng)51％。在集成電路生產(chǎn)企業(yè)中，“領(lǐng)頭羊”華天電子集團(tuán)年封裝能力由10年前的800萬(wàn)塊增加到目前的50億塊以上，躋身國(guó)內(nèi)同行業(yè)內(nèi)資企業(yè)前三位。

同時(shí)，甘肅集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力亦水漲船高。近年來(lái)，先后完成數(shù)百項(xiàng)重大技改、重點(diǎn)工程項(xiàng)目及重點(diǎn)新產(chǎn)品，為近百項(xiàng)國(guó)家重點(diǎn)工程提供了大量可靠的集成電路產(chǎn)品，70多個(gè)系列和產(chǎn)品獲得國(guó)家重大科技成果、科技進(jìn)步等獎(jiǎng)項(xiàng)，建成1個(gè)國(guó)家級(jí)企業(yè)技術(shù)中心和2個(gè)省級(jí)研發(fā)中心，研發(fā)人員占到從業(yè)人員總數(shù)的近23％。

據(jù)介紹，針對(duì)產(chǎn)業(yè)總量偏少、競(jìng)爭(zhēng)能力較弱、缺乏區(qū)位優(yōu)勢(shì)等突出問(wèn)題，甘肅將在“十二五”期間力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)產(chǎn)品由單一向多元的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，實(shí)現(xiàn)技術(shù)水平由中低端向高端轉(zhuǎn)變，建成以天水、蘭州、平?jīng)鰹楹诵牡奈㈦娮?、電真空器件、軍工電子?大科研生產(chǎn)基地，培育出2-3個(gè)效益突出、收入過(guò)10億元、具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的龍頭企業(yè)。（來(lái)自新浪網(wǎng)）

2011年全球半導(dǎo)體資本

設(shè)備支出將達(dá)448億美元

據(jù)技術(shù)研究和咨詢公司Gartner預(yù)測(cè)，2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將達(dá)到448億美元，與2010年406億美元的支出相比，增長(zhǎng)10.2%。然而，Gartner分析師也指出，半導(dǎo)體庫(kù)存出現(xiàn)過(guò)剩修正，再加上晶圓設(shè)備制造供過(guò)于求，將導(dǎo)致2012年半導(dǎo)體資本設(shè)備支出略有下滑。

Gartner執(zhí)行副總裁Klaus Rinnen表示：“盡管日本的災(zāi)難性地震威脅將破壞電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈，但自我們?cè)?011年第一季度的預(yù)測(cè)以來(lái)，資本支出和設(shè)備格局變化不大。由于日本廠商艱巨的努力，此次地震的影響已降低到最小程度?！保▉?lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

英飛凌創(chuàng)新電源管理產(chǎn)品

亮相PCIM Asia 2011

作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，英飛凌在上海召開(kāi)的2011 PCIM亞洲展覽會(huì)(2011年6月21日至23日)上展示了最新的IGBT技術(shù)、CoolMOSTM CFD系列、高端功率二極管、晶閘管產(chǎn)品及各種為新能源功率變換準(zhǔn)備的功率組件等。

英飛凌的逆導(dǎo)型（RC）600V IGBT家族又添兩名新成員。這兩款新的功率開(kāi)關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速I(mǎi)GBT，可以設(shè)計(jì)出更高能效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)家用電器，它們使用尺寸更小的元件，因此成本比同類系統(tǒng)更低。

英飛凌最新推出市場(chǎng)領(lǐng)先的集成快速體二極管的650V CoolMOS CFD2產(chǎn)品，可將諸如服務(wù)器、太陽(yáng)能設(shè)備、電信機(jī)房開(kāi)關(guān)電源和照明裝置等設(shè)備的能效提升至新的高度。

英飛凌新推出的60V至150V CanPAK，進(jìn)一步完善了其OptiMOS功率MOSFET產(chǎn)品陣容。同時(shí)，英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)充了第二代碳化硅肖特基二極管，推出了采用新的TO-247HC（長(zhǎng)爬電距離）封裝的1200V碳化硅二極管。

英飛凌中國(guó)工業(yè)及多元化電子市場(chǎng)部高級(jí)經(jīng)理馬國(guó)偉先生表示：“英飛凌的節(jié)能產(chǎn)品，可以更好地降低成本，全面滿足客戶不斷提高能效和功率密度的需求，同時(shí)為我們的客戶帶來(lái)明顯的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)?！保ū究庉嫞汉?）

國(guó)民技術(shù)：雙界面

IC卡芯片實(shí)現(xiàn)三大創(chuàng)新

由國(guó)民技術(shù)推出的高安全性雙界面IC卡芯片Z8HCR的成功研發(fā)并產(chǎn)業(yè)化，Z8HCR的誕生將填補(bǔ)我國(guó)商用密碼產(chǎn)品在非接觸CPU卡上的空白，打破了外國(guó)對(duì)此技術(shù)的限制，為我國(guó)民族產(chǎn)業(yè)的發(fā)展作出了貢獻(xiàn)。

據(jù)國(guó)民技術(shù)相關(guān)人士介紹，Z8HCR實(shí)現(xiàn)了三大創(chuàng)新，雙界面是該芯片的一個(gè)創(chuàng)新點(diǎn)，目前國(guó)內(nèi)還未有帶非接觸式接口與接觸式接口的同類產(chǎn)品，如何控制在不同模式下的電源問(wèn)題，是該項(xiàng)目能夠成功實(shí)施的關(guān)鍵。另外，高安全性是該芯片的另一個(gè)創(chuàng)新點(diǎn)。國(guó)產(chǎn)算法的引入，不僅提高了芯片本身的安全性，也為該領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化提供了技術(shù)保證。此外，高性能是該芯片重要指標(biāo)，此芯片立足于達(dá)到國(guó)外芯片的性能要求，且部分超越國(guó)外芯片，可支持多應(yīng)用。

Z8HCR可廣泛應(yīng)用于電子政務(wù)、電子商務(wù)、電子防偽等多個(gè)領(lǐng)域。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

展訊新品 2G成重心

展訊近日了三款極具性價(jià)比的GSM芯片，包括面向終端采用ARM9內(nèi)核的SC6800H，以及兩款面向低端市場(chǎng)的SC6610和SC6620。

如何普及移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)，就是要降低成本，使每個(gè)用戶都能消費(fèi)得起，其次是要提高性能。展訊市場(chǎng)副總裁康一博士表示，“對(duì)于低端產(chǎn)品而言，其核心競(jìng)爭(zhēng)力是降低成本。我們把一些用于高端手機(jī)的手段用于低端手機(jī)?！?/p>

在康一看來(lái)，如果將iPhone看作“奔馳”、“寶馬”，那么奔馳寶馬是很難讓移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)得到普及。

展訊內(nèi)部人士表示，全球很多不發(fā)達(dá)的地區(qū)，有很多人現(xiàn)在用的手機(jī)非常簡(jiǎn)單，甚至還有用戶根本沒(méi)用過(guò)手機(jī)，跟移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展“搭不上邊”，“6610和6620的尺寸很小，性價(jià)比比較高，可滿足國(guó)內(nèi)及海外新興市場(chǎng)低端手機(jī)市場(chǎng)需求?！?/p>

據(jù)悉，展訊SC6610和SC6620將多媒體加速器、觸摸屏背光、射頻接口都集成到了芯片上，使得產(chǎn)品在成本上更具優(yōu)勢(shì)，而連接的簡(jiǎn)便也將大大縮短終端設(shè)計(jì)時(shí)間。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

同方微電子成功開(kāi)發(fā)

出雙界面銀行IC卡產(chǎn)品

上海華虹NEC電子有限公司日前宣布，北京同方微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“同方微電子”）基于公司成熟的0.13微米嵌入式存儲(chǔ)器工藝，成功地開(kāi)發(fā)出了高安全性和高可靠性的雙界面銀行IC卡產(chǎn)品。該產(chǎn)品將有力地配合并推進(jìn)國(guó)家“十二五”期間金融IC卡的遷移和應(yīng)用，促進(jìn)國(guó)內(nèi)銀行IC卡的產(chǎn)業(yè)升級(jí)和可持續(xù)發(fā)展。

為了配合國(guó)家“十二五”期間金融IC卡推廣工作的順利進(jìn)行，2010年上半年華虹NEC啟動(dòng)了針對(duì)雙界面銀行IC卡產(chǎn)品的工藝開(kāi)發(fā)與IP配套升級(jí)，歷時(shí)半年時(shí)間，于2011年初完成了工藝的硅驗(yàn)證工作，工藝特性完全滿足銀行IC卡極其嚴(yán)格的高安全性和高可靠性的設(shè)計(jì)要求。同方微電子作為國(guó)內(nèi)銀行IC卡的主要參與設(shè)計(jì)廠商，基于華虹NEC升級(jí)改造后的0.13微米嵌入式存儲(chǔ)器工藝，采用創(chuàng)新的設(shè)計(jì)理念，在短短半年內(nèi)就完成了全新的雙界面銀行IC卡的設(shè)計(jì)、流片和驗(yàn)證工作。目前，該產(chǎn)品采用華虹NEC高可靠性的EEPROM IP，已經(jīng)完成了全面的功能評(píng)價(jià)，實(shí)測(cè)性能達(dá)到了同行業(yè)先進(jìn)水平。（來(lái)自華虹NEC）

中國(guó)微電子推出革命性

和諧統(tǒng)調(diào)處理器技術(shù)

中國(guó)微電子科技集團(tuán)有限公司日前公布推出一項(xiàng)革命性手持移動(dòng)終端的嶄新突破性技術(shù)，和諧統(tǒng)調(diào)處理器（Harmony Unified Processor）技術(shù)，主要針對(duì)中國(guó)流動(dòng)裝置市場(chǎng)。

和諧統(tǒng)調(diào)處理器技術(shù)把兩種不同類型的處理器，中央處理器（CPU）和圖像處理器（GPU）統(tǒng)一在一個(gè)核芯內(nèi)，同時(shí)結(jié)合了多線程虛擬管線（MVP）、平行運(yùn)算內(nèi)核、獨(dú)立的指令集架構(gòu)、優(yōu)化的編譯器、以及靈活切換的動(dòng)態(tài)負(fù)載均衡等新技術(shù)；這嶄新科技將會(huì)是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展中的里程碑，也為移動(dòng)計(jì)算和移動(dòng)通訊領(lǐng)域帶來(lái)更具成本效益及低功耗等優(yōu)點(diǎn)的新產(chǎn)品。

具備和諧統(tǒng)調(diào)處理器技術(shù)的硅片現(xiàn)已完成生產(chǎn)，并進(jìn)入封裝測(cè)試階段，而系統(tǒng)單芯片制成品主要針對(duì)正蓬勃發(fā)展的Android平板計(jì)算機(jī)市場(chǎng)，預(yù)期于本年底前開(kāi)始量產(chǎn)。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

燦芯半導(dǎo)體第一顆40nm芯片驗(yàn)證成功

燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司與中芯國(guó)際集成電路制造有限公司共同宣布燦芯半導(dǎo)體第一顆40nm芯片在中芯國(guó)際一次性流片驗(yàn)證成功。

燦芯半導(dǎo)體與新思科技有限公司（Synopsys,Inc.,）及中芯國(guó)際深度合作，使?fàn)N芯自主研發(fā)的40nm芯片一次性流片成功。這顆芯片集成了Synopsys Design Ware嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)，以及中芯國(guó)際自主研發(fā)的PLL、I/O等關(guān)鍵IP部件，成功驗(yàn)證了燦芯半導(dǎo)體在40nm工藝線上的前端和后端設(shè)計(jì)流程。（來(lái)自燦芯半導(dǎo)體）

飛思卡爾32位MCU出新品

飛思卡爾半導(dǎo)體近日推出新的32位Qorivva微控制器（MCU），該產(chǎn)品基于Power Architecture技術(shù)，目的是使過(guò)去只有在豪華汽車中才能見(jiàn)到的環(huán)繞攝像泊車輔助系統(tǒng)變得更加經(jīng)濟(jì)適用并普及到更廣泛的車型中。Qorivva MPC5604E 32位MCU通過(guò)快速以太網(wǎng)傳輸高分辨率的壓縮視頻數(shù)據(jù)，可以提供360度車周全景，從而實(shí)現(xiàn)更加安全、簡(jiǎn)便地泊車。（來(lái)自飛思卡爾）

Marvell推出超低功耗40nm

四端口10GBASE-T PHY芯片

美滿電子科技（Marvell）近日宣布推出88X3140和88X3120 Alaska? X PHY芯片，可為交換機(jī)、服務(wù)器和存儲(chǔ)客戶帶來(lái)突破性的優(yōu)勢(shì)。

四端口的88X3140和雙端口的88X3120在銅質(zhì)雙絞線上實(shí)現(xiàn)了10Gb以太網(wǎng)連接。其顯著的優(yōu)勢(shì)包括低延遲、低運(yùn)行功耗、高抗干擾度，以及支持節(jié)能以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)等先進(jìn)的電源管理特性。它在100米距離時(shí)單個(gè)端口功耗為2.5瓦，是高密度應(yīng)用的理想產(chǎn)品。此外，Marvell已經(jīng)基于Marvell? Prestera?-CX交換機(jī)芯片開(kāi)發(fā)出了參考設(shè)計(jì)，在1RU機(jī)架配置下支持多達(dá)48個(gè)10GBASE-T端口。（來(lái)自Marvell）

NXP推出市場(chǎng)就緒型

NFC“智能”汽車鑰匙解決方案

“智能”汽車鑰匙市場(chǎng)的先驅(qū)――恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出針對(duì)多功能汽車鑰匙的生產(chǎn)就緒單芯片解決方案――NCF2970（KEyLink Lite）。通過(guò)引入近距離無(wú)線通訊（NFC） 技術(shù)增強(qiáng)汽車鑰匙的功能，恩智浦的KEyLink Lite解決方案可以與配備了NFC功能的手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等外部設(shè)備互連，幫助汽車制造商營(yíng)造全新的駕馭體驗(yàn)。 （來(lái)自NXP）

TI基于C28x

和Cortex-M3的雙核MCU問(wèn)市

近日，德州儀器（TI）宣布推出新型C2000 Concerto雙核微控制器（MCU）系列，可幫助開(kāi)發(fā)人員設(shè)計(jì)出環(huán)保性能與連接能力更佳的應(yīng)用。這種新型Concerto 32位微控制器將TI的具有同類領(lǐng)先性能的C28x內(nèi)核及控制外設(shè)與ARM Cortex-M3內(nèi)核及連接外設(shè)組合起來(lái)，以提供一種分區(qū)明確的架構(gòu)，可在單個(gè)具有成本效益的器件中支持實(shí)時(shí)控制和高級(jí)連接。（來(lái)自TI）

賽普拉斯FIFO存儲(chǔ)器即將投產(chǎn)

賽普拉斯半導(dǎo)體公司近日宣布推出一款容量高達(dá)72 Mbit的先進(jìn)先出 （FIFO）存儲(chǔ)器。該款全新的高容量（HD） FIFO 是視頻及成像應(yīng)用的理想選擇，可滿足高效緩沖所需的高容量和高頻率要求。與大型PFGA結(jié)合使用時(shí)，HD FIFO可作為標(biāo)準(zhǔn)同步DRAM存儲(chǔ)器的高級(jí)緩沖備選方案。新型HD FIFO可提供18、36以及72Mbit的容量版本，能夠支持3.3V和1.8V LVCMOS及HSTL1等眾多I/O標(biāo)準(zhǔn)。（來(lái)自賽普拉斯）

飛思卡爾半導(dǎo)體

50Gbits/s通信芯片

飛思卡爾半導(dǎo)體日前展示了一款名為QorIQAdvancedMultiprocessing（AMP）的網(wǎng)絡(luò)芯片產(chǎn)品，主要面向大流量網(wǎng)絡(luò)通信市場(chǎng)。這款芯片基于一個(gè)64位的 Powere65002.5GHzAltivec處理器核心開(kāi)發(fā)，采用28nm制程，擁有24個(gè)虛擬核心以用來(lái)處理交換和路由業(yè)務(wù)。

同時(shí)，面對(duì)較為低端的客戶，飛思卡爾還有12核1.6GHz和24核2.0GHz的產(chǎn)品可供選擇。首款使用該芯片的設(shè)備是飛思卡爾的T4240，它已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)50Gbits/s的吞吐量。（來(lái)自飛思卡爾）

Microchip擴(kuò)展RF功率放大器產(chǎn)品線

美國(guó)微芯科技公司宣布，推出新款SST12LP17E和SST12LP18E器件，擴(kuò)展其RF功率放大器產(chǎn)品線。SST12LP17E是同類產(chǎn)品中體積最小但能完全匹配的功率放大器，只需要一個(gè)DC旁路電容即可實(shí)現(xiàn)最優(yōu)性能。SST12LP18E的工作電壓是Microchip全線RF功率放大器中最低的，并可在-20℃至+85℃條件下工作。新器件可工作于2.7V的低電壓，線性輸出功率高達(dá)18.5dBm為2.5%EVM于IEEE802.11gOFDM54Mbps標(biāo)準(zhǔn)下，輸出23.5dBm時(shí)附加功率效率高達(dá)38%于IEEE802.11b標(biāo)準(zhǔn)下。這些功率放大器采用8引腳2mmx2mmx45mmQFN封裝。它們是小尺寸、高效率和低電池電壓工作的嵌入式WLAN應(yīng)用的理想選擇，如消費(fèi)電子市場(chǎng)、手機(jī)、游戲機(jī)、打印機(jī)和平板電腦。（來(lái)自Microchip）

IMEC利用CMOS工藝制程

GaN MISHEMTs

歐洲微電子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC）與其合作伙伴共同開(kāi)發(fā)了在200毫米硅片上生長(zhǎng)GaN/AlGaN的技術(shù)。

借助這項(xiàng)新技術(shù)，GaNMISHEMTs（metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors）能夠嚴(yán)格按照CMOS的污染控制要求在工藝線上進(jìn)行生產(chǎn)（不再需要加入金這種貴金屬），進(jìn)而能夠在200mm硅襯底上大批量生產(chǎn)高質(zhì)量的氮化鎵產(chǎn)品。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

瑞薩開(kāi)發(fā)出不需要電池的

無(wú)線通信技術(shù)

瑞薩電子日前正式宣布開(kāi)發(fā)出一種新的近距離無(wú)線通訊技術(shù)：傳感器不需電池即可通過(guò)藍(lán)牙或無(wú)線局域網(wǎng)將數(shù)據(jù)發(fā)送出去。

此技術(shù)的重點(diǎn)有兩個(gè)：首先是利用發(fā)信端和收信端之間電磁波信噪比的改變來(lái)讀取傳感器傳送數(shù)據(jù)的近距離無(wú)線技術(shù)。另外就是自動(dòng)探測(cè)環(huán)境中能量較強(qiáng)的電磁波（手機(jī)信號(hào)或WiFi/WLAN信號(hào)等）并轉(zhuǎn)換成電能的微型發(fā)電技術(shù)。

這兩者的結(jié)合，使得小于1米的通信距離內(nèi)傳感器發(fā)送數(shù)據(jù)不需依靠電池得以實(shí)現(xiàn)。這種新的無(wú)線通訊技術(shù)以后可能應(yīng)用的例子有：使用電子計(jì)算器計(jì)算得出結(jié)果后靠近PC直接發(fā)送結(jié)果到PC中；在創(chuàng)可貼上加入溫度傳感器，用智能手機(jī)實(shí)時(shí)監(jiān)控體溫?cái)?shù)據(jù)等。（來(lái)自CSIA）

AMD推出低功耗計(jì)算

和圖像處理混合芯片

AMD日前正式推出了其低功耗旗艦產(chǎn)品－Fusion處理器。Fusion芯片融合了x86架構(gòu)的計(jì)算處理器和圖像處理器，成為AMD和INTEL、ARM等競(jìng)爭(zhēng)移動(dòng)應(yīng)用市場(chǎng)的“殺手锏”。不過(guò)，AMD資深研究人員PhilRogers暗示，F(xiàn)usion芯片的架構(gòu)設(shè)計(jì)并不是封閉、排外的，F(xiàn)usion的系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)在未來(lái)可以融合其它架構(gòu)的計(jì)算處理器和圖像處理器組成一個(gè)“異質(zhì)”的多核平臺(tái)。AMD將對(duì)外公布有關(guān)的技術(shù)文檔，使Fusion成為一個(gè)開(kāi)放的軟硬件開(kāi)發(fā)平臺(tái)。（來(lái)自CSIA）

意法半導(dǎo)體（ST）通過(guò)CMP

為業(yè)界提供28納米CMOS制程

意法半導(dǎo)體與CMP（Circuits Multi Projets?）攜手宣布，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)可通過(guò)CMP提供的芯片中介服務(wù)使用意法半導(dǎo)體的28 nm CMOS制程開(kāi)發(fā)芯片設(shè)計(jì)。

雙方在上一代CMOS合作項(xiàng)目的成功促使了這次推出的28nm CMOS制程服務(wù)。雙方于2008年、2006年、2004年及2003年分別推出45nm、65nm、90nm及130nm制程服務(wù)。此外，CMP還提供意法半導(dǎo)體的65nm和130nm SOI以及130nm SiGe制造制程服務(wù)。舉例來(lái)說(shuō)，170所大專院校和企業(yè)已可使用意法半導(dǎo)體的90nm CMOS制程設(shè)計(jì)規(guī)則和設(shè)計(jì)工具，200余所大專院校和企業(yè)（60%為歐洲客戶；40%為美洲和亞洲客戶）已可使用65nm bulk和 SOI CMOS制程設(shè)計(jì)規(guī)則和設(shè)計(jì)工具。目前，45/40納米CMOS制程服務(wù)仍在開(kāi)發(fā)階段。（來(lái)自意法半導(dǎo)體）

新岸線NuSmart 2816移動(dòng)處理器

新岸線公司最近了一款NuSmart2816處理器。該產(chǎn)品擁有強(qiáng)大性能的移動(dòng)終端設(shè)備處理器，采用了先進(jìn)的Coretex-A9構(gòu)架，性能卓越，且價(jià)格合理。新岸線市場(chǎng)行銷副總裁楊宇新先生告訴媒體：“目前已經(jīng)有品牌選用了NuSmart2816作為平板電腦的核心，第一款產(chǎn)品將在今年10月份左右上市?！辈⑶遥掳毒€的下一代產(chǎn)品，功耗更低的Coretex-A9構(gòu)架處理器已經(jīng)準(zhǔn)備好了，代號(hào)為NuSmart2810，屆時(shí)這款處理器將把A9雙核處理器的成本拉的更低一些。并且，新岸線的4核AMR構(gòu)架的產(chǎn)品也在積極研發(fā)中，預(yù)計(jì)8-12個(gè)月后將投入生產(chǎn)。（來(lái)自CSIA）

思百吉成功舉辦2011中國(guó)客戶答謝會(huì)

思百吉（Spectris）集團(tuán)（美國(guó)邁思肯的母公司）在上海成功舉辦了“攜手未來(lái)，2011共創(chuàng)輝煌”客戶答謝會(huì)和記者招待會(huì)。百余名主要客戶代表和二十多家重要媒體參加了此次活動(dòng)， 思百吉集團(tuán)在活動(dòng)中分享了其在中國(guó)這個(gè)主要市場(chǎng)上的發(fā)展?fàn)顩r。

在記者招待會(huì)上，思百吉集團(tuán)首席執(zhí)行官John OHiggins先生和大家分享了思百吉集團(tuán)在中國(guó)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)及其對(duì)技術(shù)和產(chǎn)品的未來(lái)規(guī)劃。

John OHiggins先生表示：在全球經(jīng)濟(jì)不景氣的情況下，他們?cè)谥袊?guó)市場(chǎng)的銷售額卻仍不斷增長(zhǎng)。過(guò)去兩年中，共創(chuàng)造了2億多英鎊的銷售額。如今，中國(guó)已經(jīng)成為其全球第二大市場(chǎng)，繼全國(guó)的各主要城市后，思百吉也開(kāi)始進(jìn)軍西部地區(qū)與二線城市。

雖然進(jìn)入中國(guó)已有40年，思百吉這個(gè)名字對(duì)于許多人而言都是一個(gè)陌生的名字。隨著時(shí)間的推移，這家制造高精儀器儀表與控制設(shè)備的國(guó)際巨鱷，其旗下的13家子公司都在悄然之中悉數(shù)進(jìn)駐了中國(guó)市場(chǎng)，其業(yè)務(wù)范圍已經(jīng)逐漸滲透了我國(guó)鋼鐵、汽車、能源等工業(yè)領(lǐng)域。

John OHiggins先生總結(jié)說(shuō)：“我們?cè)谥袊?guó)有強(qiáng)大的客戶基礎(chǔ)和良好的發(fā)展機(jī)遇，未來(lái)我們將繼續(xù)向中國(guó)市場(chǎng)投資，致力于產(chǎn)品的本地化，全面完善中國(guó)地區(qū)的服務(wù)和支持體系，尋求有技術(shù)特點(diǎn)的公司作為合作伙伴，不斷研發(fā)新產(chǎn)品，以滿足客戶的需求。”（本刊編輯：黃友庚）

Marvell業(yè)界首款TD單芯片

方案率先在華商用

全球整合式芯片解決方案廠商美滿電子科技（Marvell）日前宣布，成功推出Marvell單芯片在TD智能手機(jī)、平板電腦和無(wú)線路由器的應(yīng)用。

Marvell公司業(yè)界領(lǐng)先的TD-SCDMA方案可以提供世界級(jí)的3D圖像、手機(jī)游戲、移動(dòng)電視、高清視頻性能，并且通過(guò)Marvell美觀易用的Kinoma軟件，為不同平臺(tái)提供統(tǒng)一的用戶體驗(yàn)。同時(shí)，PXA920系列產(chǎn)品是業(yè)界首款TD-SCDMA單芯片方案，融合了高性能應(yīng)用處理器和調(diào)制解調(diào)器，讓大眾期待已久的1000元智能手機(jī)成為現(xiàn)實(shí)。這一平臺(tái)同時(shí)支持全球的3G和2G標(biāo)準(zhǔn)，讓OEM廠商可以為中國(guó)及中國(guó)以外的市場(chǎng)快速開(kāi)發(fā)WCDMA智能手機(jī)、平板電腦和無(wú)線路由器。

Marvell完整的手機(jī)平臺(tái)解決方案包括單芯片通信處理器和應(yīng)用處理器、射頻模塊、電源管理芯片以及集成有Wi-Fi/藍(lán)牙/FM調(diào)頻功能的連接單芯片，該單芯片支持1x1和2x2移動(dòng)MIMO通信系統(tǒng)并具有波束成形（beamforming）功能。Marvell的TD-SCDMA芯片和軟件解決方案由上海的研發(fā)中心開(kāi)發(fā)，該中心有約1000名工程師專注于中國(guó)市場(chǎng)。（來(lái)自Marvell）

Intersil兩款新型穩(wěn)壓器，

用戶可對(duì)其編程

Intersil公司近日宣布，推出兩款微型電源管理芯片――ISL9305和ISL9305H，進(jìn)一步擴(kuò)大其針對(duì)消費(fèi)電子市場(chǎng)的電源管理產(chǎn)品家族。ISL9305和ISL9305H這兩款芯片提供多通道電源輸出需求并支持靈活的I2C接口編程，非常適合當(dāng)下消費(fèi)電子的設(shè)計(jì)需求。ISL9305和ISL9305H采用4x4mm封裝，包含兩個(gè)800mA（ISL9305）、1500mA（ISL9305H）同步開(kāi)關(guān)降壓穩(wěn)壓器和兩個(gè)300mA低壓差（LDO）線性穩(wěn)壓器，這一集成減少了元件總數(shù)并降低了產(chǎn)品總成本。 （來(lái)自Intersil）

盛群雙向無(wú)線電

應(yīng)用專用SOC MCU問(wèn)市

盛群半導(dǎo)體推出HT98R068為雙向無(wú)線電應(yīng)用專用SOC MCU。此IC主要是用于類似無(wú)線電對(duì)講機(jī)產(chǎn)品如FRS, MURS, GMRS等市場(chǎng)的含音訊處理的MCU。 在音訊處理功能方面, 包括pre-emphasis/de-emphasis、 壓擴(kuò)、可編程擾頻設(shè)定、DTMF編解碼、可編程selective code編解碼及亞音頻的CTCSS/DCS編解碼。靈活的音訊處理路徑與并行的亞音頻信號(hào)處理可提供各種組合的操作模式。（來(lái)自盛群半導(dǎo)體）

ST-Ericsson創(chuàng)新組件

將電池壽命提升30%

意法?愛(ài)立信目前推出一個(gè)全新的產(chǎn)品系列，這一系列的產(chǎn)品可以顯著提升手機(jī)和其他連接設(shè)備的電池使用壽命。與直接由電池供電的解決方案相比，這個(gè)創(chuàng)新的電源管理組件可以將移動(dòng)設(shè)備的通話時(shí)間或互聯(lián)網(wǎng)連接時(shí)間最高提升30%。基于意法?愛(ài)立信的開(kāi)拓性PM3533集成解決方案，移動(dòng)設(shè)備的雙模射頻子系統(tǒng)可以采用低截止電壓電池技術(shù)，從而充分利用電池電源。（來(lái)自ST-Ericsson）

明導(dǎo)Capital工具覆蓋范圍

擴(kuò)展至電氣設(shè)計(jì)領(lǐng)域之外

Mentor Graphics公司近日宣布旗下的Capital產(chǎn)品套裝有重大擴(kuò)展。Capital套裝當(dāng)前為汽車、航空和國(guó)防工業(yè)提供強(qiáng)大的電氣系統(tǒng)和線束設(shè)計(jì)流程，而現(xiàn)在又有三款新產(chǎn)品加入，可以同時(shí)將流程向上游（產(chǎn)品規(guī)劃和架構(gòu)設(shè)計(jì)）和下游（產(chǎn)品維修維護(hù)）擴(kuò)展。隨著新型工具針對(duì)解決車型配置復(fù)雜性管理,線束制造,以及車輛維修維護(hù)文檔管理等多方面難題，Capital系列工具也將覆蓋范圍擴(kuò)大到從產(chǎn)品定義架構(gòu)到維修服務(wù)。新工具采用了突破性技術(shù)，對(duì)于OEM廠商、線束制造商和售后服務(wù)部門(mén)而言具有很高的商業(yè)價(jià)值。 （來(lái)自Mentor Graphics）

Atmel基于ARM9的MCU

可與Android系統(tǒng)兼容

微控制器及觸摸解決方案的供應(yīng)商愛(ài)特梅爾公司（Atmel Corporation）宣布其基于ARM的產(chǎn)品SAM9G45和SAM9M10將支持Android操作系統(tǒng) ，應(yīng)用于消費(fèi)、工業(yè)和計(jì)算市場(chǎng)。愛(ài)特梅爾以32位ARM926處理器為基礎(chǔ)的SAM9G45和SAM9M10 ARM9器件現(xiàn)可兼容Android操作系統(tǒng)，為運(yùn)行Android操作系統(tǒng)的SAM9M10-G45-EK板提供完整的板級(jí)支持包（board support package, BSP）。 （來(lái)自Atmel）

SanDisk全新嵌入式

閃存驅(qū)動(dòng)器iNAND EXTREME

SanDisk近日宣布推出全新iNAND Extreme嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器（Embedded Flash Drive; EFD）系列；這是針對(duì)運(yùn)行在高級(jí)操作系統(tǒng)下以及數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的高端平板電腦所推出的首款系列產(chǎn)品，每秒連續(xù)寫(xiě)入和讀取的速度分別達(dá)50MB與80MB。高性能的嵌入式閃存存儲(chǔ)設(shè)備，可大幅提高平板電腦的多媒體同步速度、轉(zhuǎn)文件速度，與操作系統(tǒng)的反應(yīng)力。 （來(lái)自SanDisk）

S2C 正式其新產(chǎn)品

Verification Module

S2C近日宣布他們已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一種原型驗(yàn)證產(chǎn)品，即TAI Verification Module（專利申請(qǐng)中）。它允許使用者通過(guò)一條x4 PCIe Gen2通道到連接FPGA原型中的用戶設(shè)計(jì)和用戶的電腦，使得用戶能夠使用大量數(shù)據(jù)和測(cè)試向量對(duì)FPGA原型中的用戶設(shè)計(jì)進(jìn)行快速驗(yàn)證?；贏ltera Stratix-4 GX FPGA的TAI Verification Module將Altera 的SignalTap Logic Analyzer集成到了S2C的TAI Player軟件中，它能支持在多個(gè)FPGA進(jìn)行RTL 級(jí)別調(diào)試。這項(xiàng)創(chuàng)新的技術(shù)在設(shè)計(jì)編譯過(guò)程中建立了多組，每組480個(gè)probe，從而使用戶能在不需要進(jìn)行冗長(zhǎng)的FPGA重新編譯的情形下在多個(gè)FPGA中查看數(shù)以千計(jì)的RTL級(jí)probe。（來(lái)自S2C）

飛兆新增工業(yè)類型封裝的

PowerTrench MOSFET器件

對(duì)于需要提升系統(tǒng)效率并最大限度減少元件數(shù)目的高效AC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，構(gòu)建一個(gè)具備快速開(kāi)關(guān)特性、更高效率和功率密度的現(xiàn)代電源系統(tǒng)是一項(xiàng)非常重要的指標(biāo)。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）為100V和150V PowerTrench MOSFET系列器件增添了工業(yè)類型封裝選擇，包括TO-220、D2PAK、TO247、I2PAK、TO220 Full Pack和D2PAK-7L。 （來(lái)自飛兆）

恩智浦推出集成LCD圖像

控制器的LPC1788微控制器

恩智浦半導(dǎo)體近日了LPC1788微控制器，這是業(yè)界首款采用ARM? CortexTM-M3技術(shù)且集成LCD控制器的MCU，目前已批量上市。LPC178x系列擁有最高96KB片上SRAM以及32位外接存儲(chǔ)器接口，幫助客戶輕松實(shí)現(xiàn)低成本、高質(zhì)量的圖像應(yīng)用。LPC178x系列支持眾多圖像顯示面板，是工業(yè)自動(dòng)化、銷售網(wǎng)點(diǎn)和醫(yī)療診斷應(yīng)用的理想選擇。 （來(lái)自恩智浦）

MIPS 科技推動(dòng)“Apps on MIPS”開(kāi)發(fā)

美普思科技公司（MIPS）日前宣布推出全新 MIPS 應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)（MAD：MIPS Application Development ）計(jì)劃，旨在促進(jìn) MIPSTM架構(gòu)應(yīng)用程序的快速發(fā)展。該計(jì)劃將提供性能和兼容性測(cè)試的技術(shù)支持與服務(wù)，以確保應(yīng)用程序能夠在 MIPS-BasedTM 設(shè)備上運(yùn)行。通過(guò)這項(xiàng)由 MIPS 開(kāi)發(fā)人員社區(qū)所提出的最新計(jì)劃，開(kāi)發(fā)人員能快速構(gòu)建與 MIPS-BasedTM 移動(dòng)設(shè)備完全兼容的應(yīng)用程序，為游戲和其它應(yīng)用程序帶來(lái)理想的用戶體驗(yàn)。

MAD 計(jì)劃初期將定位于 AndroidTM 平臺(tái)的 MIPS-Based 設(shè)備應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)。MIPS 開(kāi)發(fā)工程師團(tuán)隊(duì)能夠提供兼容性和性能分析，并將結(jié)果反饋給應(yīng)用程序開(kāi)發(fā)人員。在 MIPS 開(kāi)發(fā)人員社區(qū)網(wǎng)站 developer.省略 上可獲得完整的文件和技術(shù)支持。此外，開(kāi)發(fā)人員還能夠充份利用 MAD 套件（MAD Kit） 開(kāi)發(fā) Android 應(yīng)用程序。MAD 套件包括由 Android 軟件開(kāi)發(fā)套件（SDK）和 QEMU 仿真器組成的完整工具鏈，以及本機(jī)開(kāi)發(fā)套件（NDK）（r5b Windows/Linux）。我們同時(shí)還會(huì)提供高級(jí)移動(dòng)硬件平臺(tái)。（來(lái)自美普思科技）

奧地利微電子首款3D霍爾傳感器

AS5410可感應(yīng)絕對(duì)位置

奧地利微電子公司近日推出全球首款基于全功能3D霍爾平臺(tái)的線性位置傳感器AS5410。獨(dú)特的3D霍爾傳感器解決方案可在汽車和工業(yè)應(yīng)用中感應(yīng)絕對(duì)位置，提供超高分辨率的位置信息。AS5410能在設(shè)備啟動(dòng)后即刻檢測(cè)一個(gè)簡(jiǎn)單兩級(jí)磁鐵的絕對(duì)位置，應(yīng)用中無(wú)需預(yù)先運(yùn)行參考定位。即便使用非常小的磁鐵，位置感測(cè)也可支持大范圍的機(jī)械運(yùn)行距離。AS5410 3D霍爾編碼器可通過(guò)SPI接口預(yù)設(shè)四種基本操作模式，提供快速便捷的配置操作。所有信號(hào)調(diào)理，包括對(duì)溫度影響的補(bǔ)償?shù)染谄瑑?nèi)實(shí)現(xiàn)。（來(lái)自?shī)W地利微電子）

微捷碼宣布推出支持GLOBALFOUNDRIES

低功耗技術(shù)的參考流程

微捷碼（Magma）設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司近日宣布，一款支持GLOBALFOUNDRIES 28納米超低功耗（SLP）高K金屬柵（HKMG）技術(shù)的netlist-to-GDSII參考流程正式面市。這款簽核就緒（sign-off-ready）的參考流程可與GLOBAL- FOUNDRIES的簽核驗(yàn)證模塊相集成，且通過(guò)利用Talus IC實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)獨(dú)特的Talus Flow Manager和Talus Visual VolcanoTM提供獨(dú)特的可視化功能，還使得雙方客戶能夠快速輕松地先輸入現(xiàn)有設(shè)計(jì)、然后以28納米SLP工藝對(duì)其性能進(jìn)行分析并評(píng)估。不同于其它IC實(shí)現(xiàn)環(huán)境，Talus Flow Manager是隨著Talus Vortex一起加入的這款流程，從而去除了對(duì)額外工具的投資需求。（來(lái)自微捷碼）

ADI推出一款高性能

雷達(dá)模擬前端IC:AD8283

汽車安全理念一直在發(fā)展演變，現(xiàn)在已經(jīng)從座位安全帶、安全氣囊和碰撞檢測(cè)等被動(dòng)系統(tǒng)發(fā)展到具有防撞和事故預(yù)防功能的主動(dòng)檢測(cè)網(wǎng)絡(luò)。作為一項(xiàng)尤為令人振奮的主動(dòng)安全改進(jìn)措施，雷達(dá)可以顯著降低因分心而導(dǎo)致的行車事故數(shù)量及嚴(yán)重程度。Analog Devices, Inc.的集成式慣性 MEMS 檢測(cè)技術(shù)曾讓安全氣囊在15年前成為一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)汽車安全特性，近日又推出一款價(jià)格低廉的高性能雷達(dá) AFE（模擬前端）IC。ADI 公司高集成度的 AD8283汽車?yán)走_(dá) AFE（模擬前端）IC 包含接收路徑信號(hào)調(diào)理和數(shù)據(jù)采集電路，使終端系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)巡航控制、盲點(diǎn)檢測(cè)以及其它基于雷達(dá)的檢測(cè)和預(yù)防應(yīng)用。（來(lái)自ADI）

TI最新OMAP 4處理器

可將網(wǎng)頁(yè)瀏覽性能提升80%

德州儀器（TI） 近日宣布推出超節(jié)能OMAP4470應(yīng)用處理器，該處理器屬于OMAP 4平臺(tái)系列，能夠使處理功耗、圖形、顯示子系統(tǒng)功能及多層用戶界面組合等方面的性能達(dá)到有效平衡。多內(nèi)核OMAP4470處理器的時(shí)鐘速度高達(dá)1.8 GHz，為目前市場(chǎng)上所有解決方案之冠，同時(shí)網(wǎng)絡(luò)瀏覽性能提升80%，內(nèi)存帶寬增加，圖形功能提高2.5倍(通過(guò)Imagination Technologies的POWERVRTM SGX544以及獨(dú)特的硬件組合引擎實(shí)現(xiàn)）。（來(lái)自TI）

新唐NuMicro微控制器

NUC122 閃亮登場(chǎng)

新唐科技繼成功推出以ARM? CortexTM-M0為核心的32位微控制器 - NUC100/NUC120 和 NuMicro M051TM系列后，新成員NUC122系列于近日閃亮登場(chǎng)。NUC122系列以最低功耗、低閘數(shù)、精簡(jiǎn)程序代碼，內(nèi)建USB及多種高速通訊能力器件等特性，使其執(zhí)行效能為一般微控制器的數(shù)倍。其先進(jìn)低功耗工藝與內(nèi)建 USB 2.0全速裝置，特別適用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制、安防、通訊系統(tǒng)，與需要高速計(jì)算的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)領(lǐng)域。 （來(lái)自新唐科技）

安森美五款超小型

低壓降線性穩(wěn)壓器出爐

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）近日推出五款超小封裝的低壓降（LDO）線性穩(wěn)壓器，強(qiáng)化用于智能手機(jī)及其他便攜電子應(yīng)用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)，均能提供150毫安的輸出電流。這五款新器件都非常適合于應(yīng)用在電池供電的便攜設(shè)備（如MP3播放器、手機(jī)、手持GPS系統(tǒng)、照相機(jī)及錄像機(jī)）、家用電器（包括機(jī)頂盒及數(shù)字視頻錄像機(jī)）和網(wǎng)絡(luò)/通信設(shè)備（服務(wù)器及路由器），以及非常講究節(jié)省電能及空間的其他應(yīng)用。 （來(lái)自安森美）

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體

推出全新高亮度LED驅(qū)動(dòng)器

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司（National Semiconductor Corp.）近日宣布推出全新高集成度線性LED驅(qū)動(dòng)器LM3466，可簡(jiǎn)化街燈等大功率大型照明燈具的設(shè)計(jì)。僅需幾個(gè)無(wú)源組件，LM3466便能提供一個(gè)完整系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)在現(xiàn)有任一款的AC/DC恒流源基礎(chǔ)上驅(qū)動(dòng)每個(gè)LED燈串?，F(xiàn)今的LED驅(qū)動(dòng)器通常需要多個(gè)組件，才能正確地驅(qū)動(dòng)一個(gè)LED燈串，而為了維持多個(gè)LED燈串間的電流相同，常會(huì)令設(shè)計(jì)變得更為復(fù)雜。通過(guò)集成MOSFET并采用獨(dú)特的控制方法，LM3466能夠解決上述問(wèn)題。（來(lái)自美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體）

美商柏恩復(fù)合式扭矩和角度傳感器

美商柏恩（Bourns?）公司，近日推出一款全新復(fù)合式扭矩和角度感應(yīng)器。該款新的傳感器是專為電子動(dòng)力輔助控制應(yīng)用系統(tǒng)（EPAS）和其它汽車系統(tǒng)所設(shè)計(jì)的，除了結(jié)合了扭矩和轉(zhuǎn)向角度測(cè)量外，還取代了以往使用兩個(gè)離散感應(yīng)器進(jìn)而節(jié)省空間和成本。新款復(fù)合式扭矩和角度感應(yīng)器乃使用柏恩（Bourns?）' Hall Effect （HE） 的非時(shí)鐘簧線 （Non- clockspring） 扭矩傳感器技術(shù)，藉由傳動(dòng)器輸入功率來(lái)測(cè)量其扭矩轉(zhuǎn)向，并且同時(shí)轉(zhuǎn)換成控制方向盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和方向。新款復(fù)合式感應(yīng)器中的扭矩感應(yīng)器是專為EPAS設(shè)計(jì)的，其控制角度信號(hào)器可用于各種汽車系統(tǒng)，包括電子穩(wěn)定控制（ESC），進(jìn)階前照明系統(tǒng)（AFLS），導(dǎo)航和輔助停車系統(tǒng)。 （來(lái)自Bourns?）

MIPS和矽統(tǒng)科技持續(xù)推動(dòng)

AndroidTM 進(jìn)入數(shù)字家庭應(yīng)用

日前，美普思科技公司（MIPS）攜手中國(guó)臺(tái)灣矽統(tǒng)科技公司共同宣布，雙方將共同推動(dòng) AndroidTM 平臺(tái)進(jìn)入數(shù)字家庭應(yīng)用，樹(shù)立新的里程碑。兩家公司合作推出以矽統(tǒng)科技新款 MIPS-BasedTM 集成網(wǎng)絡(luò)電視平臺(tái)為基礎(chǔ)的優(yōu)化 Android 解決方案，現(xiàn)已面市。同時(shí)，矽統(tǒng)科技獲得了全新超標(biāo)量多處理 MIPS32TM 1074KfTM 同步多處理系統(tǒng)（CPS）授權(quán)，用于開(kāi)發(fā)下一代芯片產(chǎn)品。

矽統(tǒng)科技全新高集成度的網(wǎng)絡(luò)電視平臺(tái)采用雙內(nèi)核高性能 MIPS 處理器，可提供定制化 widget，并支持 YouTube、Facebook、eBay、Flickr、天氣和財(cái)經(jīng)以及在線電影租賃等廣受歡迎的服務(wù)。該平臺(tái)可支持高端圖像和增強(qiáng)的視頻處理，以及 Adobe? Flash? Player 10.1 與電視視頻流功能。該產(chǎn)品同時(shí)支持視頻點(diǎn)播和 Skype等網(wǎng)絡(luò)通信。并能與其他 Android 平板電腦和智能手機(jī)等設(shè)備進(jìn)行無(wú)縫互操作和互聯(lián)；提供遙控和視頻共享等功能。全新互聯(lián)網(wǎng)電視平臺(tái)現(xiàn)已能夠通過(guò)矽統(tǒng)科技獲得。（來(lái)自美普思科技）

三洋用于數(shù)碼錄音筆的

音頻處理器LC823425即將量產(chǎn)

三洋半導(dǎo)體（安森美半導(dǎo)體成員公司）推出用于數(shù)碼錄音筆（IC recorder）等便攜設(shè)備的音頻處理方案―LC823425。這產(chǎn)品包含內(nèi)置硬連線MP3編碼器/解碼器系統(tǒng)，提供業(yè)界最低的功耗5毫瓦，以內(nèi)置數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）支援先進(jìn)功能。LD823425利用新開(kāi)發(fā)的MP3文件格式硬件解碼器，將編碼期間的功耗相較于此前產(chǎn)品降低50%。這器件還利用低壓90納米工藝提供約5 mW的總功耗，達(dá)致業(yè)界最低的MP3錄音/播放功耗水平。（來(lái)自三洋半導(dǎo)體）

微捷碼宣布其

Titan Analog Design Kit正式面市

微捷碼（Magma）設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司近日宣布，支持臺(tái)積電（TSMC）180納米/65納米工藝的Titan Analog Design Kit正式面市，它以與工藝和規(guī)格無(wú)關(guān)且可重復(fù)利用的模塊化模擬電路模塊――Titan FlexCell實(shí)現(xiàn)了Titan基于模型的設(shè)計(jì)方法。這款工具包提供了一個(gè)模擬設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)，使得微捷碼和臺(tái)積電雙方客戶均可顯著改善設(shè)計(jì)質(zhì)量和設(shè)計(jì)師效率。Titan Analog Design Kit設(shè)計(jì)工具包包括了與技術(shù)無(wú)關(guān)的FlexCell、相關(guān)電路原理圖、符號(hào)、測(cè)試基準(zhǔn)、完整文檔和一份指南。通過(guò)使用這款工具包、Titan模擬設(shè)計(jì)加速器（Titan ADX）、FlexCell以及目標(biāo)工藝信息和規(guī)格，用戶可創(chuàng)建滿足其特定需求的模擬設(shè)計(jì)。這種獨(dú)特的新方法通過(guò)可重復(fù)利用FlexCell 電路模塊實(shí)現(xiàn)了非?？焖俚哪M設(shè)計(jì)。（來(lái)自MAGMA）

核高基專項(xiàng)資金或本周開(kāi)始下?lián)?/p>

預(yù)計(jì)總金額超過(guò)1000億元

近日有消息人士透露，政府相關(guān)部門(mén)將于近日向幾家企業(yè)下?lián)?010年“核高基”專項(xiàng)資金，獲得資金的企業(yè)集中在基礎(chǔ)軟件領(lǐng)域。國(guó)家“核高基”專項(xiàng)資金分批次下?lián)?，本次下?lián)芑蛟诒局軆?nèi)執(zhí)行。

“核高基”專項(xiàng)將持續(xù)至2020年，中央財(cái)政為此安排預(yù)算328億元，加上地方財(cái)政以及其他配套資金，預(yù)計(jì)總投入將超過(guò)1000億元。

有消息人士近日透露，相關(guān)政府部門(mén)上周向多家企業(yè)下發(fā)了有關(guān)2010年“核高基”專項(xiàng)資金的批復(fù)函件，具體資金應(yīng)該在本周內(nèi)下?lián)堋＋@得資金的企業(yè)集中在基礎(chǔ)軟件領(lǐng)域，包括國(guó)產(chǎn)操作系統(tǒng)廠商、國(guó)產(chǎn)數(shù)據(jù)庫(kù)廠商以及國(guó)產(chǎn)辦公軟件廠商等。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

諾基亞西門(mén)子通信投資

半導(dǎo)體創(chuàng)新公司 ClariPhy Inc.

諾基亞西門(mén)子通信的投資將支持ClariPhy開(kāi)發(fā)高集成度單芯片互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）集成電路（IC），用于高性能光網(wǎng)絡(luò)數(shù)字信息處理（DSP）。高容量傳輸網(wǎng)絡(luò)是交付固定和移動(dòng)寬帶的關(guān)鍵。IPTV、按需視頻、云計(jì)算和服務(wù)所需的數(shù)據(jù)量每年以60%的速度增長(zhǎng)。

高容量光網(wǎng)絡(luò)用于智能傳輸網(wǎng)絡(luò)中，可幫助服務(wù)提供商的多服務(wù)數(shù)據(jù)傳輸網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)最低整體擁有成本。智能傳輸網(wǎng)絡(luò)基于諾基亞西門(mén)子通信規(guī)劃、安裝、整合、提供、維護(hù)和優(yōu)化IP集成的能力，可運(yùn)營(yíng)多廠商傳輸網(wǎng)絡(luò)。除專業(yè)服務(wù)外，智能傳輸網(wǎng)絡(luò)還包括諾基亞西門(mén)子通信的產(chǎn)品。

諾基亞西門(mén)子通信對(duì)ClariPhy的投資和已經(jīng)安裝的智能傳輸網(wǎng)絡(luò)將改善現(xiàn)有的光纖網(wǎng)絡(luò)，讓諾基亞西門(mén)子通信的帶寬突破100G。此外，該投資能讓諾基亞西門(mén)子通信在速度更快的速率卡（400G，1T）開(kāi)發(fā)中保持領(lǐng)先，解決IP網(wǎng)絡(luò)流量的大規(guī)模增長(zhǎng)問(wèn)題。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

2011年全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣回顧

分析了年初以來(lái)全球半導(dǎo)體行業(yè)的運(yùn)行數(shù)據(jù)。銷售額方面，需求穩(wěn)健，淡季不淡；產(chǎn)能利用率方面，持續(xù)處于高位，我們預(yù)測(cè)行業(yè)開(kāi)工情況將維持良好局面；BB值方面，今年前5個(gè)月，美國(guó)BB值從0.85的低位持續(xù)反彈；日本BB值1-2月增長(zhǎng)勢(shì)頭良好，但3月受地震影響開(kāi)始略有回落，總的來(lái)看，半導(dǎo)體行業(yè)資本開(kāi)支進(jìn)入穩(wěn)定成長(zhǎng)期。

風(fēng)險(xiǎn)提示。日本震后的電力、交通恢復(fù)進(jìn)度如果較慢，將影響全球半導(dǎo)體的原材料、設(shè)備供應(yīng)，以及需求情況；中國(guó)大陸人工成本上漲將影響相應(yīng)公司利潤(rùn)。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

英飛凌展出配備

SiC JFET的功率模塊等

德國(guó)英飛凌科技在東京舉行的展會(huì)“智能電網(wǎng)展2011&新一代汽車產(chǎn)業(yè)展2011”，展出了各種功率模塊。在會(huì)場(chǎng)上，英飛凌還展示了功率循環(huán)壽命延至原產(chǎn)品10倍的功率模塊，延長(zhǎng)了功率循環(huán)壽命。

此次，英飛凌將鍵合引線的材料由鋁改為銅，提高了產(chǎn)品的可靠性。該公司表示，利用銅線的鍵合技術(shù)已用于其MOSFET等，此次就是以該技術(shù)為基礎(chǔ)的。

另外，英飛凌為接合功率半導(dǎo)體芯片和DCB基板采用了名為“擴(kuò)散焊接方式”的方法。由于與普通方法相比，焊錫層較薄并且熱阻較小等，能提高產(chǎn)品的可靠性。

英飛凌在會(huì)場(chǎng)上展示了利用上述.XT技術(shù)的耐壓1200V、電流900A的IGBT功率模塊。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

ADI 公司的1W、2級(jí)集成驅(qū)動(dòng)

放大器覆蓋整個(gè)蜂窩頻率范圍

ADI最近推出兩款1W、2級(jí) RF 驅(qū)動(dòng)放大器 ADL5605和 ADL5606，它們能夠覆蓋無(wú)線通信系統(tǒng)所用的整個(gè)蜂窩頻率范圍。高集成度放大器 ADL5605（工作頻率范圍700MHz 至1000MHz）和 ADL5606（工作頻率范圍1800MHz 至2700MHz）引腳兼容，易于調(diào)諧，并且集成了兩個(gè)增益級(jí)；與傳統(tǒng)的分立設(shè)計(jì)相比，電路板空間大大節(jié)省。

此外，新款 RF 驅(qū)動(dòng)放大器集成了內(nèi)部有源偏置和快速關(guān)斷功能，支持需要省電模式的應(yīng)用，或者間歇性發(fā)射信號(hào)的無(wú)線電能計(jì)量等應(yīng)用。這些高性能寬帶 RF 驅(qū)動(dòng)放大器非常適合各種有線和無(wú)線應(yīng)用，包括：蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施；工業(yè)、科研和醫(yī)療（ISM）頻段功率放大器；防務(wù)和儀器儀表設(shè)備等。 （來(lái)自ADI公司）

士蘭微電子通過(guò)質(zhì)量/

環(huán)境管理體系監(jiān)督審核

近日士蘭微電子迎來(lái)了方圓標(biāo)志認(rèn)證浙江審核中心審核組對(duì)我司ISO19001-2008版本的第二次監(jiān)督審核。

在審核過(guò)程中，審核組檢查了公司質(zhì)量/環(huán)境管理體系覆蓋的產(chǎn)品、過(guò)程和區(qū)域，對(duì)公司在認(rèn)證范圍內(nèi)的質(zhì)量/環(huán)境管理體系與審核準(zhǔn)則的持續(xù)符合性進(jìn)行了抽查驗(yàn)證，并與各部門(mén)的當(dāng)事人進(jìn)行了交流和現(xiàn)場(chǎng)的抽樣審核。

經(jīng)過(guò)兩天的嚴(yán)格審查，審核組對(duì)公司的質(zhì)量/環(huán)境管理體系運(yùn)作情況作出了較高評(píng)價(jià)：公司有關(guān)人員理解標(biāo)準(zhǔn)比較到位，公司的管理體系比較完善，質(zhì)量和環(huán)境管理體系均沒(méi)有開(kāi)具不符合報(bào)告，體系運(yùn)行有效。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

中國(guó)電科海康威視

全新一代DVR產(chǎn)品

近日，中國(guó)電科所屬第52研究所?？低曂瞥鋈乱淮W(wǎng)絡(luò)硬盤(pán)錄像機(jī)（DVR）產(chǎn)品。該系列DVR在處理性能、系統(tǒng)穩(wěn)定性等多方面獲得革命性突破，給終端用戶帶來(lái)全新體驗(yàn)，重新定義了DVR產(chǎn)品的新高度。

該產(chǎn)品采用領(lǐng)先的3D視頻數(shù)字降噪技術(shù)、圖像倍幀與反隔行算法，搭載創(chuàng)新型高清視頻處理系統(tǒng)，使圖像更細(xì)膩、更清晰，全新操作界面，讓操作更人性化。可同時(shí)支持16路高畫(huà)質(zhì)4CIF實(shí)時(shí)編碼與16路4CIF實(shí)時(shí)解碼，支持16路高清IPC的接入、存儲(chǔ)和高清解碼顯示；可同時(shí)實(shí)現(xiàn)16路實(shí)時(shí)預(yù)覽與16路同步實(shí)時(shí)回放，實(shí)現(xiàn)真正的DULLHD雙輸出獨(dú)立顯示；支持雙千兆網(wǎng)口，網(wǎng)絡(luò)性能強(qiáng)勁，支持網(wǎng)絡(luò)容錯(cuò)、負(fù)載均衡、雙網(wǎng)隔離等特點(diǎn)，為多樣化的監(jiān)控網(wǎng)絡(luò)提供最貼合的應(yīng)用方案，適應(yīng)視頻監(jiān)控大規(guī)模網(wǎng)絡(luò)化的發(fā)展趨勢(shì)。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

西南集成電路設(shè)計(jì)有限公司將在

美國(guó)TowerJazz工廠生產(chǎn)射頻IC產(chǎn)品

西南集成電路設(shè)計(jì)有限公司（SWID）是一家本土無(wú)晶圓IC設(shè)計(jì)公司。最近該公司選擇在美國(guó)加州紐波特比奇（NewportBeach）進(jìn)行代工生產(chǎn)，利用其鍺硅BiCMOS工藝技術(shù)來(lái)制造該公司的射頻IC產(chǎn)品。

TowerJazz宣布了這一合作。Tower半導(dǎo)體于2008年接管了美國(guó)捷智科技公司（JazzTechnologiesInc.），包括捷智在紐波特比奇的200毫米晶圓廠。此舉非同一般，標(biāo)志著由中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)代工無(wú)晶圓設(shè)計(jì)流程的全盤(pán)逆轉(zhuǎn)。在此次的事件中，中國(guó)設(shè)計(jì)流程從東方轉(zhuǎn)向西方國(guó)家，并于加州制造。這在一定程度上反映了日趨成熟的中國(guó)設(shè)計(jì)以及部分鍺硅制造業(yè)的專業(yè)程度。（來(lái)自半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)）

工信部：十一五電子

發(fā)展基金投2.3億做3G研發(fā)

在26日舉行的“十一五”電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金成果匯報(bào)展示會(huì)上，工業(yè)和信息化部總經(jīng)濟(jì)師周子學(xué)透露，“十一五”期間，電子發(fā)展基金累計(jì)投入34.71億元，安排項(xiàng)目1825個(gè)，其中，在3G研發(fā)上的投入為2.3億。

周子學(xué)表示，五年來(lái)，電子發(fā)展基金累計(jì)投入34.71億元，安排項(xiàng)目1825個(gè)。其中，在第三代移動(dòng)通信、發(fā)光二極管、太陽(yáng)能光伏、信息安全技術(shù)產(chǎn)品等新興領(lǐng)域，分別投入資金2.285億元、5900萬(wàn)元、3650萬(wàn)元、2.96億元支持關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。

而在軟件、集成電路、新型顯示器件等核心關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)上，電子發(fā)展基金分別投入資金9.31億元、3.96億元、3.68億元，分別安排項(xiàng)目561個(gè)、175個(gè)、89個(gè)，并通過(guò)集成電路研發(fā)資金投入19.5億元，支持了209個(gè)項(xiàng)目。

據(jù)了解，電子發(fā)展基金設(shè)立于1986年，用于支持軟件、集成電路、計(jì)算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、通信設(shè)備、數(shù)字視聽(tīng)、基礎(chǔ)元器件等各門(mén)類產(chǎn)品和信息技術(shù)推廣應(yīng)用。（來(lái)自中國(guó)信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)）

英飛凌推出新款

XC2000 16位車用單片機(jī)

為了幫助中低檔汽車采用高檔汽車的安全和舒適裝置，同時(shí)符合最嚴(yán)格的燃耗和尾氣排放要求，英飛凌科技股份公司近日宣布?jí)汛笃浯螳@成功的XC2000車用單片機(jī)產(chǎn)品家族，推出成本優(yōu)化型新器件。英飛凌這次壯大XC2000產(chǎn)品家族陣容的主要宗旨是，幫助汽車系統(tǒng)供應(yīng)商在不引進(jìn)多個(gè)單片機(jī)平臺(tái)的情況下，擴(kuò)充其產(chǎn)品陣容并拓寬其性能范圍。英飛凌此舉將為客戶提供伸縮自如的汽車解決方案，其軟硬件重復(fù)利用率很高，能夠顯著降低客戶的成本。

新款XC2000 16位器件的典型應(yīng)用包括：低成本車身控制模塊（BCM）、低成本氣囊或低端引擎管理系統(tǒng)等。為了進(jìn)一步縮小占板空間，新款XC2000器件采用了成本優(yōu)化的超小型封裝。（來(lái)自英飛凌科技）

篇6

關(guān)鍵詞: 片上網(wǎng)絡(luò)；GALS；異步FIFO；環(huán)形緩沖

中圖分類號(hào)：TP302.1文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A

Design of GALS Interface for Network-on-Chip

HONG Jia-jie, WU Ning

（College of Information Technology Science, Nanjing University

of Aeronautics and Astronautics； Nanjing China； 210016）

Abstract:This paper proposes a design method for GALS（Globally Asynchronous and Locally Synchronous） interface based on handshake protocol. The delay of data transfer is reduced by using asynchronous FIFOs as input buffers. The interface also uses concept of circular buffer to manage multi-buffers, so that the interface is scalable. The synthesis and simulation in FPGA show that our GALS can provide reliable asynchronous communication services, an interface with 4 channels required 405 ALUT （Adaptive Look-Up Table） and ran at 211MHz.

Key words: Network-on-Chip; GALS; Asynchronous FIFO; Circular buffer

隨著片上系統(tǒng)（SoC，System-on-Chip）集成的IP核數(shù)目的不斷增大，傳統(tǒng)的基于總線的通信結(jié)構(gòu)將嚴(yán)重制約整個(gè)芯片的性能[1]。片上網(wǎng)絡(luò)（NoC，Network-on-Chip）將是一種有效的通信解決方案，它可以看作是將互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用到SoC設(shè)計(jì)領(lǐng)域的結(jié)果[2]。

NoC不需要全局同步時(shí)鐘是其較之于總線結(jié)構(gòu)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。隨著工藝技術(shù)的進(jìn)步和系統(tǒng)規(guī)模的增大，低延遲的全局時(shí)鐘布線將會(huì)變得非常困難；同時(shí)，全局時(shí)鐘產(chǎn)生了巨大的功耗[3]。全局異步局部同步架構(gòu)（GALS）可以解決全局同步時(shí)鐘帶來(lái)的諸多問(wèn)題，它可以應(yīng)用于NoC的設(shè)計(jì)，NoC中的每個(gè)IP核是一個(gè)工作于獨(dú)立時(shí)鐘局部同步子系統(tǒng)，IP核與網(wǎng)絡(luò)通過(guò)GALS接口以異步的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸[4]。

GALS接口是NoC同步時(shí)鐘域與異步時(shí)鐘域的分界，本文設(shè)計(jì)GALS接口是按照握手協(xié)議來(lái)協(xié)調(diào)數(shù)據(jù)在不同時(shí)鐘域之間的異步傳輸。

1GALS接口總體結(jié)構(gòu)

GALS網(wǎng)絡(luò)接口可分為輸出、輸入兩個(gè)端口，每個(gè)端口主要由通道緩沖區(qū)、緩沖區(qū)選擇模塊、基于握手機(jī)制的自時(shí)鐘發(fā)生器、信號(hào)同步器四部分組成，它的總體結(jié)構(gòu)如圖1 所示。

數(shù)據(jù)緩沖區(qū)由若干個(gè)緩沖塊組成，緩沖塊可以由RAM或FIFO實(shí)現(xiàn)。在NoC中可以將通信服務(wù)劃分為保證服務(wù)（Guaranteed services，GT）和盡力服務(wù)（Best-effort services，BE）[5]，相應(yīng)的數(shù)據(jù)包也分為GT包和BE包。為此，可以將通道緩沖塊分為兩類，一類存儲(chǔ)GT包，另一類用來(lái)存儲(chǔ)BE包。GT服務(wù)的優(yōu)先級(jí)較高，所以GT緩沖塊的數(shù)據(jù)將優(yōu)先得到服務(wù)。

對(duì)于輸出緩沖區(qū)，往緩沖塊寫(xiě)數(shù)據(jù)的過(guò)程同時(shí)也是數(shù)據(jù)組包的過(guò)程。數(shù)據(jù)從緩沖塊的第二個(gè)地址開(kāi)始依次寫(xiě)入，數(shù)據(jù)寫(xiě)入完畢后，再將數(shù)據(jù)包頭寫(xiě)入首地址，這樣就完成了一個(gè)數(shù)據(jù)包的組包過(guò)程，而從緩沖塊讀數(shù)據(jù)是從首地址開(kāi)始的，所以輸出緩沖塊需用RAM實(shí)現(xiàn)。

對(duì)于輸入緩沖區(qū)，從網(wǎng)絡(luò)來(lái)的數(shù)據(jù)輸入到緩沖對(duì)列，解包模塊首先從首地址讀取的包頭信息，再根據(jù)包頭信息從輸入緩沖塊中讀取有效數(shù)據(jù)，由此可見(jiàn)，存取過(guò)程是一個(gè)先進(jìn)先出的過(guò)程，為了提高數(shù)據(jù)吞吐率可采用異步FIFO實(shí)現(xiàn)，異步FIFO的設(shè)計(jì)可參看文獻(xiàn)[6]。

自時(shí)鐘發(fā)生器用于產(chǎn)生讀寫(xiě)時(shí)鐘，以輸出端口為例，request信號(hào)將在緩沖區(qū)滿信號(hào)afull和目的緩沖區(qū)有空閑時(shí)被觸發(fā)，request有效后，自時(shí)鐘發(fā)生器將產(chǎn)生緩沖區(qū)讀時(shí)鐘控制數(shù)據(jù)從緩沖區(qū)中讀出；當(dāng)空標(biāo)志aempty有效時(shí)，自時(shí)鐘發(fā)生器將停止產(chǎn)生讀時(shí)鐘。緩沖區(qū)的空/滿標(biāo)志（aempty和afull）由于與本地時(shí)鐘不同步，需要經(jīng)過(guò)同步器后才能進(jìn)入組包或解包模塊。

2GALS接口關(guān)鍵設(shè)計(jì)

2.1基于握手協(xié)議的自時(shí)鐘發(fā)生器

本文采用了基于握手協(xié)議的自時(shí)鐘發(fā)生器來(lái)協(xié)調(diào)數(shù)據(jù)包的異步傳輸。握手協(xié)議主要有兩種形式：二相握手和四相握手，對(duì)于前者，它采用雙時(shí)鐘沿觸發(fā)，不適合于在FPGA上實(shí)現(xiàn)。本文的自時(shí)鐘發(fā)生器是基于四相握手協(xié)議的，它的電路如圖2所示。

在圖2中，當(dāng)request被觸發(fā)時(shí)，讀時(shí)鐘r_clk產(chǎn)生一個(gè)上升沿，數(shù)據(jù)將會(huì)被讀出。為了保證數(shù)據(jù)能正確寫(xiě)入，w_clk的上升沿只能在數(shù)據(jù)到達(dá)后產(chǎn)生，因?yàn)閿?shù)據(jù)傳輸有一定的延遲，所以在自時(shí)鐘發(fā)生器中需要插入延遲單元，而FPGA中延遲單元對(duì)工藝、溫度、壓力等因素敏感，因此需要留有足夠的設(shè)計(jì)余量，延遲時(shí)間TDelay應(yīng)滿足TDelay>TDelay_Data + TR_co +Tack_su。

TDelay_Data為數(shù)據(jù)延遲時(shí)間，Tack_su為ack時(shí)鐘信號(hào)的最小建立時(shí)間，TR_co為寄存器固有屬性，是數(shù)據(jù)送到輸出端口的內(nèi)部延時(shí)參數(shù)。

2.2輸入緩沖區(qū)

對(duì)于輸入緩沖塊，若采用雙端口RAM實(shí)現(xiàn)，則需要將包中所有的微片都加載到緩沖塊后才能讀出，數(shù)據(jù)的延遲將與數(shù)據(jù)包的長(zhǎng)度成線性關(guān)系。而輸入緩沖塊數(shù)據(jù)的存取是一個(gè)先進(jìn)先出的過(guò)程，可以采用異步FIFO來(lái)實(shí)現(xiàn)。輸入緩沖區(qū)的結(jié)構(gòu)如圖3所示。

輸入緩沖區(qū)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是準(zhǔn)確地設(shè)計(jì)控制信號(hào)，與外部模塊相連的兩個(gè)關(guān)鍵信號(hào)是afull和aempty。afull并不反映異步FIFO的滿狀態(tài)，而是標(biāo)志在該異步FIFO緩沖塊中還有包微片沒(méi)有讀完，其它數(shù)據(jù)包不允許寫(xiě)入到該緩沖塊，它是由w_ok與r_ok異或得到的，w_ok和r_ok分別在一個(gè)數(shù)據(jù)包寫(xiě)完和讀完時(shí)翻轉(zhuǎn)。aempty標(biāo)志在該異步FIFO緩沖塊有數(shù)據(jù)可以讀取，它是由w_begin與r_ok異或得到的，w_begin在數(shù)據(jù)包頭寫(xiě)進(jìn)緩沖塊后翻轉(zhuǎn)。為了防止亞穩(wěn)態(tài)的發(fā)生，afull和aempty需要經(jīng)過(guò)同步器后才可以送到外部模塊。

3.3環(huán)形緩沖區(qū)

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緩沖區(qū)的大小需要根據(jù)實(shí)際的網(wǎng)絡(luò)通信量確定，這就要求緩沖區(qū)具有良好的可擴(kuò)展性。為此，在本文中采用了環(huán)形緩沖的概念來(lái)管理緩沖區(qū)，即將緩沖塊按環(huán)形組合起來(lái)。

對(duì)于環(huán)形緩沖區(qū)的管理，在同步系統(tǒng)中可以用狀態(tài)機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)，而在本系統(tǒng)中，由于緩沖區(qū)的讀寫(xiě)時(shí)鐘不同，不宜用狀態(tài)機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)。最終，本文采用的是如圖4所示的電路，該電路當(dāng)任意兩個(gè)緩沖塊同時(shí)為滿時(shí)將出現(xiàn)不確定情況。但是在這里，同時(shí)為滿的情況不可能出現(xiàn)，所以該電路是可行的。

路由單元向輸入通道緩沖區(qū)輸入數(shù)據(jù)包，一次只能對(duì)一塊緩沖塊進(jìn)行操作，控制電路是通過(guò)緩沖塊的空標(biāo)志來(lái)對(duì)環(huán)形緩沖區(qū)的緩沖塊進(jìn)行操作。因?yàn)榫彌_塊有可能同時(shí)為空，所以緩沖塊選擇模塊不能采用如圖4所示的電路。根據(jù)環(huán)形緩沖區(qū)的存取特點(diǎn)，滿的緩沖塊必是連續(xù)的，例如由4個(gè)緩沖塊組成的環(huán)形緩沖區(qū)，“滿空空滿”的情況是可能的，而“滿空滿空”是不可能的。而將要選擇的緩沖塊必為沿存儲(chǔ)方向的第一個(gè)空緩沖塊。由此得出write_enn=fulln?fulln-1（除緩沖塊全為空、滿時(shí)不適用），full為緩沖塊滿信號(hào)，下標(biāo)為緩沖塊編號(hào)，write_en為1的存儲(chǔ)塊即是可以寫(xiě)入的數(shù)據(jù)塊。

4仿真結(jié)果

輸入輸出端口分別為4緩沖塊的網(wǎng)絡(luò)接口用Altera公司的Stratix II器件EP2S15F484C3進(jìn)行布局布線后仿真，共占用了405個(gè)ALUT，可以達(dá)到的最高頻率為211MHz。

輸出端的波形如圖5所示，data_out為組包模塊輸出的數(shù)據(jù)，在時(shí)鐘clk_r的驅(qū)動(dòng)下寫(xiě)入到輸出緩沖塊，flit_from_GT_a為從網(wǎng)絡(luò)接口輸出的數(shù)據(jù)，在握手時(shí)鐘request的驅(qū)動(dòng)下從輸出緩沖塊讀出。

從圖5中可以看出，數(shù)據(jù)微片延遲了m×Tclk_r+3×Tclk_tran，m為數(shù)據(jù)包長(zhǎng)度，Tclk_r為發(fā)送端時(shí)鐘周期，Tclk_tran位握手時(shí)鐘周期，延遲時(shí)間與數(shù)據(jù)包長(zhǎng)度成線性關(guān)系。

輸入端的波形如圖6所示，data_net為來(lái)自網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)，在握手時(shí)鐘ack的驅(qū)動(dòng)下寫(xiě)入的輸入緩沖塊，de_data為輸入到解包模塊的數(shù)據(jù)，在目的時(shí)鐘clk_d的驅(qū)動(dòng)下從輸入緩沖塊讀出。

從圖6中可以看出，當(dāng)往輸入緩沖區(qū)輸入兩個(gè)微片后，F(xiàn)IFO的空標(biāo)志才無(wú)效，這是因?yàn)楫惒紽IFO的空標(biāo)志是保守的，在讀使能fifo_read_en_a有效后，數(shù)據(jù)開(kāi)始從異步FIFO中讀出，數(shù)據(jù)微片延遲了2×Tclk_tran+2×Tclk_d，Tclk_d為接收端的時(shí)鐘周期，與數(shù)據(jù)包的長(zhǎng)度無(wú)關(guān)。

5結(jié)論

本文基于GALS思想設(shè)計(jì)了片上網(wǎng)絡(luò)適配單元與網(wǎng)絡(luò)路由之間的異步通信接口，采用的基于四相握手協(xié)議的自時(shí)鐘發(fā)生器保證了可靠的跨時(shí)鐘域數(shù)據(jù)傳輸，用異步FIFO作為輸入緩沖區(qū)消除了數(shù)據(jù)包長(zhǎng)度對(duì)傳輸延遲的影響，將多個(gè)緩沖塊組成循環(huán)緩沖區(qū)，使接口具有了良好的可擴(kuò)展性。仿真結(jié)果表明：該接口支持較高的時(shí)鐘頻率和占用較少的面積。作為NoC的一個(gè)重要部件，該接口適用于各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的NoC。

參考文獻(xiàn)

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作者簡(jiǎn)介

洪佳潔，碩士研究生，研究方向?yàn)榧呻娐吩O(shè)計(jì)和片上網(wǎng)絡(luò)。

篇7

教學(xué)中存在的問(wèn)題

我國(guó)長(zhǎng)期以來(lái)形成的教育模式較為封閉、單調(diào)，滿堂灌的傳統(tǒng)教學(xué)模式在教學(xué)中仍占據(jù)主體地位。在EDA技術(shù)這類實(shí)踐性、應(yīng)用性很強(qiáng)的專業(yè)課程的講授中，如何提高學(xué)生實(shí)踐能力是需要教師不斷探究的問(wèn)題。目前，課程教學(xué)歸納起來(lái)主要存在以下幾個(gè)方面問(wèn)題：教學(xué)方式上，除了大量采取了多媒體教學(xué)形式外，教學(xué)方式仍是單向灌輸，學(xué)生在大多數(shù)情況下為被動(dòng)接受，學(xué)習(xí)興趣和積極性不高;教學(xué)過(guò)程中，以教師為中心，教學(xué)目標(biāo)主要是知識(shí)的傳播，但對(duì)知識(shí)運(yùn)用涉及較少，且大多數(shù)由教師直接介紹給學(xué)生，側(cè)重于講解概念和機(jī)械式的演練，而要求學(xué)生獨(dú)立思考并進(jìn)行問(wèn)題解決的不多，同時(shí)，由于課時(shí)有限而內(nèi)容較多，以至于在課堂上沒(méi)有學(xué)生發(fā)揮的時(shí)間;實(shí)驗(yàn)，多為驗(yàn)證性實(shí)驗(yàn)，缺少設(shè)計(jì)性和綜合性實(shí)驗(yàn)，學(xué)生理論聯(lián)系實(shí)際的能力不強(qiáng);考核方式，仍采取傳統(tǒng)考試的方式，重點(diǎn)考察對(duì)知識(shí)的記憶程度，缺乏對(duì)學(xué)生思維方法、分析和解決問(wèn)題的訓(xùn)練。

改革措施

在EDA技術(shù)課程教學(xué)過(guò)程中，我們一直在研究如何提高教學(xué)效果，逐步完善教學(xué)大綱，不斷整合教學(xué)內(nèi)容，同時(shí)在教學(xué)方式、考核方式等方面也做了一定改革。

“學(xué)中做，做中學(xué)”開(kāi)啟教學(xué)模式，激發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣 本課程主要講授：EDA技術(shù)的基本知識(shí);可編程邏輯器件的結(jié)構(gòu)原理;VHDL語(yǔ)言;EDA開(kāi)發(fā)系統(tǒng)的使用。如果在課程講授初期按部就班從單純介紹基本知識(shí)入手，學(xué)生對(duì)可編程器件和EDA技術(shù)設(shè)計(jì)流程沒(méi)有感性的認(rèn)識(shí)，這樣聽(tīng)課會(huì)感到比較枯燥，沒(méi)有學(xué)習(xí)興趣，接受起來(lái)也比較困難。EDA技術(shù)實(shí)踐性很強(qiáng)，側(cè)重于應(yīng)用，不需深入了解可編程邏輯器件的結(jié)構(gòu)，就可完成一些數(shù)字電路的設(shè)計(jì)。為了更好更高效地利用有限的學(xué)時(shí)，從EDA技術(shù)開(kāi)發(fā)工具和實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)介紹入手，幫助學(xué)生在感性上對(duì)EDA技術(shù)產(chǎn)生一定的認(rèn)識(shí)，第一次課可以在實(shí)驗(yàn)室以繪制原理圖的方式設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單的電路，教師演示整個(gè)設(shè)計(jì)的過(guò)程，然后讓學(xué)生學(xué)著再做一遍，這樣學(xué)生很快對(duì)EDA技術(shù)設(shè)計(jì)流程有了很清晰的認(rèn)識(shí)，調(diào)動(dòng)了學(xué)習(xí)積極性，以后再接受其他知識(shí)時(shí)會(huì)有整體性的概念，也不再有盲目性。

“學(xué)為主，教為輔”的教學(xué)探索 實(shí)施素質(zhì)教育，培養(yǎng)創(chuàng)新人才，提高學(xué)生的動(dòng)手實(shí)踐能力，應(yīng)以學(xué)生自主學(xué)習(xí)為主，教師給予一定的引導(dǎo)。在VHDL語(yǔ)言的學(xué)習(xí)中，教師無(wú)需逐字逐句介紹語(yǔ)法規(guī)范語(yǔ)法要素及語(yǔ)句，在每次課結(jié)束后布置下次課學(xué)生應(yīng)具備的電子電路知識(shí)，學(xué)生在課下可以利用一些時(shí)間進(jìn)行相關(guān)知識(shí)資料的查詢和學(xué)習(xí)，增強(qiáng)主觀能動(dòng)性。課堂上，教師對(duì)語(yǔ)句和相關(guān)語(yǔ)法簡(jiǎn)單介紹后，學(xué)生就可以用這些語(yǔ)句自行設(shè)計(jì)預(yù)習(xí)的邏輯電路，遇到問(wèn)題大家共同探討解決，培養(yǎng)學(xué)生獲取知識(shí)的能力。以不同的項(xiàng)目為載體學(xué)習(xí)VHDL語(yǔ)言，讓學(xué)生快速掌握EDA技術(shù)的基本內(nèi)容，讓學(xué)生在完成具體項(xiàng)目的過(guò)程中來(lái)構(gòu)建相關(guān)理論知識(shí)。

實(shí)踐環(huán)節(jié)教學(xué)改革探索 精心設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容，包括驗(yàn)證性、設(shè)計(jì)性和綜合性實(shí)驗(yàn)。驗(yàn)證性實(shí)驗(yàn)主要是鞏固所學(xué)的基礎(chǔ)理論知識(shí)，熟練掌握軟件開(kāi)發(fā)工具的操作;綜合性實(shí)驗(yàn)是課程的重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)，學(xué)生是實(shí)驗(yàn)的首要開(kāi)發(fā)者，可以培養(yǎng)學(xué)生的綜合設(shè)計(jì)能力，提高學(xué)生分析問(wèn)題、解決問(wèn)題的能力，可以多設(shè)計(jì)一些綜合性實(shí)驗(yàn)內(nèi)容供學(xué)生選擇。設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)不做具體要求，以自主學(xué)習(xí)為主，為對(duì)此知識(shí)領(lǐng)域感興趣的同學(xué)作為課外的學(xué)習(xí)補(bǔ)充。另外，鼓勵(lì)學(xué)生參與創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓(xùn)練、電子設(shè)計(jì)大賽等各種實(shí)訓(xùn)活動(dòng)，做好后續(xù)的課程設(shè)計(jì)和畢業(yè)設(shè)計(jì)工作。學(xué)生的設(shè)計(jì)成果如圖一、圖二所示：

完善考核方式 采用“平時(shí)+實(shí)驗(yàn)+期末考試”相結(jié)合的考核方式，分值劃分比例是：平時(shí)考勤10%、實(shí)驗(yàn)40%、期末考試50%，避免考試前突擊背誦授課內(nèi)容，更多重視平時(shí)學(xué)習(xí)過(guò)程的考核，注重動(dòng)手實(shí)踐能力的考核，充分調(diào)動(dòng)學(xué)生的上課積極性。實(shí)驗(yàn)考核中包括預(yù)習(xí)情況、操作過(guò)程、實(shí)驗(yàn)結(jié)果和實(shí)驗(yàn)報(bào)告，嚴(yán)格考核每一環(huán)節(jié)。

結(jié)論